水素吸着検知センサ及び水素吸着検知装置

開放特許情報番号
L2011005837
開放特許情報登録日
2011/11/18
最新更新日
2011/12/2

基本情報

出願番号 特願2009-261316
出願日 2009/11/16
出願人 国立大学法人 新潟大学
公開番号 特開2011-106928
公開日 2011/6/2
発明の名称 水素吸着検知センサ及び水素吸着検知装置
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出
適用製品 水素吸着検知装置、水素吸着検知センサ、表面プラズモン共鳴現象
目的 コンパクトで、かつ、時間応答が良好な水素吸着検知センサ及び水素吸着検知装置の提供。
効果 この技術の水素吸着検知センサによれば、従来の全反射減衰(ATR)法を利用したSPR水素吸着検知センサに比べて、プリズムが不要なことからセンサ部のコンパクト化が図れ、ひいてはセンサを含む装置全体の小型化も図ることができる。さらに、センサ表面への水素吸着有無の判定が可能となるのみならず、水素吸着量や水素濃度を定量的かつ時間応答良く測定することが可能となる。また、低濃度から高濃度までの水素を含んだガスに対して適用可能である。
技術概要
この技術では、水素吸着検知センサは、光が入射及び反射する受光表面を有した基板と、受光表面上に設けられ、かつ、パラジウムを含んだ薄膜層と、を備える。基板は金、銀、銅、又はアルミニウムを含み、パラジウム薄膜層又は/及び基板がグレーティングを構成し、かつ、パラジウム薄膜層に水素分子が吸着するものとする。また、パラジウム薄膜層と基板との間に設けられた少なくとも一つの内側薄膜層と、を備え、内側薄膜層は金、銀、銅、又はアルミニウムを含む、としてもよい。また、グレーティングが平行に並んだ多数の矩形溝によって形成されることが好ましい。さらに、グレーティングのピッチが1μm〜2μmであることが好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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