ガス検知方法およびガスセンサ

開放特許情報番号
L2011005815
開放特許情報登録日
2011/11/18
最新更新日
2011/11/18

基本情報

出願番号 特願2006-529055
出願日 2005/7/12
出願人 国立大学法人 新潟大学
公開番号 WO2006/006587
公開日 2006/1/19
登録番号 特許第4164580号
特許権者 国立大学法人 新潟大学
発明の名称 ガス検知方法およびガスセンサ
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出
適用製品 水晶振動子、ガス検知方法、ガスセンサ
目的 水晶振動子または表面弾性波素子を利用し、被検出ガスの吸着質量の変化量とそれに伴う電気特性または光および電気特性の変化量とを正確に検出できるガス検知方法およびガスセンサの提供。
効果 この技術のガス検知方法及びガスセンサは、水晶振動子または表面弾性波素子上に特性検出用電極を有するガス感応性膜を配置するもので、水晶振動子または表面弾性波素子によって物質の吸着質量を検知でき、また吸着質量に対する電気特性の変化量を一つの素子で観測できる。その結果、吸着質量の変化量と電気特性の変化量を正確に検出できる。
技術概要
この技術では、ガス検知方法及びガスセンサでは、水晶振動子または表面弾性波素子上に、被検知ガスの吸着量に応じて電気特性が変化するガス感応性膜と、電気特性を検出する特性検出用電極とを積層してなるガス吸着部を配置し、最上層に位置する一方の特性検出用電極は、被検知ガスが通過可能に構成したものとし、特性検出用電極間の電気特性と、水晶振動子または表面弾性波素子により吸着質量を検出する。また、水晶発振用電極と特性検出用電極とを絶縁する絶縁膜を、水晶振動子とガス吸着部との間に設ける。また、水晶振動子または表面弾性波素子上に、ソース電極と、ドレイン電極と、被検知ガスの吸着量に応じて電気特性が変化する半導体材料から形成されたガス感応性膜と、ゲート電極と、ゲート電極とソース電極及びドレイン電極とを絶縁するゲート絶縁膜とからなる半導体素子を配置し、ゲート電極に電圧を印加しながら、ソース−ドレイン間の電気特性と、水晶振動子または表面弾性波素子により吸着質量を検出する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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