有機電界効果トランジスタ

開放特許情報番号
L2011005807
開放特許情報登録日
2011/11/18
最新更新日
2011/11/18

基本情報

出願番号 特願2005-205968
出願日 2005/7/14
出願人 国立大学法人 新潟大学
公開番号 特開2007-027326
公開日 2007/2/1
発明の名称 有機電界効果トランジスタ
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 有機半導体、有機電界効果トランジスタ
目的 動作時ドレイン電流値の大きい有機電界効果トランジスタの提供。
効果 同一の有機半導体を用いてp・nチャネル双方の有機電界効果トランジスタを提供できる。すなわち、n形の有機半導体でpチャネル動作が可能な有機電界効果トランジスタ、およびp形の有機半導体でnチャネル動作が可能な有機電界効果トランジスタを提供することができる。
技術概要
この技術では、ゲート電極と、有機半導体からなる有機半導体層と、ゲート電極と有機半導体層とを絶縁する絶縁層と、ドレイン電極及びソース電極から構成される有機電界効果トランジスタにおいて、正孔(ラジカルカチオン)または伝導電子(ラジカルアニオン)を生成する電荷発生層を有機半導体層に密接させて設ける。また、絶縁層と有機半導体層との間に電荷発生層を備えることが好ましい。また、絶縁層と電荷発生層との間に有機半導体を備えることが好ましい。さらに、ドレイン電極及びソース電極と、有機半導体層又は電荷発生層との間に、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオンおよび希土類金属イオンのうち、少なくとも1種類を含む化合物、または単体からなる薄膜を備えることが好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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