薄膜形状測定方法および薄膜形状測定装置

開放特許情報番号
L2011005803
開放特許情報登録日
2011/11/18
最新更新日
2011/11/18

基本情報

出願番号 特願2005-001788
出願日 2005/1/6
出願人 国立大学法人 新潟大学
公開番号 特開2006-189339
公開日 2006/7/20
登録番号 特許第4560622号
特許権者 国立大学法人 新潟大学
発明の名称 薄膜形状測定方法および薄膜形状測定装置
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出
適用製品 半導体ウェハ、薄膜、プラスチックフィルム、コーティングフィルム、薄膜形状測定装置
目的 機械的な誤差要因を排除して、被対象物の各反射面の形状や膜厚の分布を、二次平面上で精密に測定することができる薄膜形状測定方法および薄膜形状測定装置の提供。
効果 機械的な誤差要因を排除して、被対象物の各反射面の形状を、二次平面上で精密に測定することができる。
技術概要
この技術では、薄膜形状測定方法は、角周波数ω↓bで正弦波状に波長走査された光を発生し、その光を分割して被対象物の測定面である複数の反射面および参照面に各々反射させた後、被対象物の測定面からの物体光と、参照面からの参照光とを合成して干渉光を得る。また、参照面または被対象物の測定面を角周波数ω↓cで正弦波振動させ、干渉光を二次元状に配置した検出点で捕らえて、それぞれ電気的な干渉信号に変換する。複数の反射面の数をnとしたときに、干渉信号をフーリエ変換して得た処理信号に基づき、電気的に変換した干渉信号から得られる処理信号の値と、理論的に導出される処理信号の値との差の二乗和が最小になったときの干渉信号の変調振幅Z↓(bi)と位相α↓i(i=1,2,…n)の値を、被対象物の各反射面のそれぞれに関して検出点毎に推定する。変調振幅Z↓(bi)と位相α↓iの値から、被対象物の各反射面で反射された光と、参照面で反射された参照光との光路差L↓(zi),L↓(αi)を検出点毎に算出し、光路差L↓(zi),L↓(αi)の値に基づき、被対象物の各反射面の位置を検出点毎に算出する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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