超解像近接場露光法

開放特許情報番号
L2011005760
開放特許情報登録日
2011/11/18
最新更新日
2011/12/2

基本情報

出願番号 特願2004-094812
出願日 2004/3/29
出願人 国立大学法人 和歌山大学
公開番号 特開2005-283753
公開日 2005/10/13
登録番号 特許第3887688号
特許権者 国立大学法人 和歌山大学
発明の名称 超解像近接場露光法
技術分野 電気・電子、情報・通信、機械・加工
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造、その他
適用製品 半導体微細加工プロセス、マイクロマシニングなどのnmサイズの微細加工を必要とする分野
目的 この発明は、フォトレジスト層に対して熱的ダメージを与えることがなく、近接場光を用いて確実な露光処理を行う。
効果 この発明によれば、フォトレジスト層に対して熱的ダメージを与えることがなく、近接場光を用いて確実な露光処理を行うことができるようになる。
技術概要
近接場光を用いた光ディスクは数種類提案されているが、中でも超解像近接場構造が超解像を実現するディスク構造を用いる手法が注目されている。超解像近接場構造は、所定の基板上に、順次フォトレジスト層、保護層、サーモクロミック層、保護層及び石英などからなる追加の基板が形成されている。この場合、追加の基板の上方からレーザ光を照射すると、サーモクロミック層が部分的に高温に加熱され、サーモクロミック層内に透過率変化に起因した微小な開口部が形成されるようになる。しかし、この方法ではサーモクロミック層を加熱した状態で露光しなければならないこと、フォトレジスト層に熱ダメージを与えてしまうという問題もあった。この発明の超解像近接場露光法は、所定の基板21上に、フォトレジスト層22及びフォトクロミック層24を順次に形成する。次いで、フォトクロミック層22に対して第1のレーザ光27を照射し、フォトクロミック層24を部分的に透明にして開口部28を形成する。次いで、フォトクロミック層24の開口部28に対して第2のレーザ光37を照射することにより近接場光29を生成し、近接場光29によりフォトレジスト層22に対して露光処理を行うものである。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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