酸化物膜及びその製造方法、並びにターゲット及び酸化物焼結体の製造方法

開放特許情報番号
L2011005674
開放特許情報登録日
2011/11/11
最新更新日
2015/1/21

基本情報

出願番号 特願2010-170331
出願日 2010/7/29
出願人 学校法人 龍谷大学
公開番号 特開2011-174167
公開日 2011/9/8
登録番号 特許第5641402号
特許権者 学校法人 龍谷大学
発明の名称 酸化物膜及びその製造方法、並びにターゲット及び酸化物焼結体の製造方法
技術分野 化学・薬品、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 酸化物膜、並びにターゲット及び酸化物焼結体
目的 p型の導電膜、特にp型の透明導電膜としての酸化物膜の高性能化に大きく貢献できる酸化物膜及びその製造方法、並びにターゲット及び酸化物焼結体の製造方法を提供する。
効果 この酸化物膜では、従来と比べてp型の高い導電性が得られる。加えて、この酸化物膜はある特定の結晶構造を備える必要がないため、大型基板上への膜の形成が容易になることから、工業生産にも適している。また、このターゲットでは、例えば、スパッタリング又はパルスレーザーの照射によりこのターゲットの構成材料を飛散させることによって、従来と比してp型の高い導電性を備えた酸化物膜を形成することができる。
技術概要
ニオブ(Nb)及びタンタル(Ta)からなる群から選択される1種類の遷移元素と、銅(Cu)とを含む酸化物の膜(不可避不純物を含み得る)であって、微結晶の集合体、微結晶を含むアモルファス状、又はアモルファス状であるとともに、p型の導電性を有する、酸化物膜である。また、銅(Cu)に対する遷移元素の原子数比が、銅(Cu)の原子数を1とした場合に遷移元素の原子数が0.25以上4以下である、ターゲットである。図1は、第1酸化物膜の製造装置の説明図、図2は、第1酸化物膜及び第2酸化物膜のXRD(X線回折)分析結果を示すチャート、図3は、第1酸化物膜及び第2酸化物膜の主として可視光領域の波長の光線の透過率の分析結果を示すチャート、である。この酸化物膜は、図2の第1酸化物膜及び第2酸化物膜のXRD(X線回折)分析結果を示すチャートに示すように、XRD分析では明確な回折ピークを示さない微結晶の集合体、微結晶を含むアモルファス状、又はアモルファス状であるとともに、p型の導電性を有する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【改善】
改善効果1 この酸化物焼結体の製造方法では、この製造方法によって形成された酸化物焼結体を、例えば、スパッタリング又はパルスレーザーの照射の対象となるターゲットとして活用することにより、従来と比してp型の高い導電性を備えた酸化物膜が形成され得る。また、焼結体であれば市場における取扱いが容易になるため、流通性及び産業適用性に富む製造物が得られる。

登録者情報

登録者名称 学校法人龍谷大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT