シリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価装置、その方法、シリコンウェーハの製造方法、及び薄膜振動子

開放特許情報番号
L2011005650
開放特許情報登録日
2011/11/11
最新更新日
2013/7/19

基本情報

出願番号 特願2008-093276
出願日 2008/3/31
出願人 国立大学法人 新潟大学
公開番号 特開2009-033102
公開日 2009/2/12
登録番号 特許第5276347号
特許権者 国立大学法人 新潟大学
発明の名称 シリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価装置、その方法、シリコンウェーハの製造方法、及び薄膜振動子
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造、検査・検出
適用製品 シリコンウェーハの原子空孔の定量評価システム
目的 効率的にシリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価を行うことができる原子空孔の定量評価装置及び定量評価方法を提供する。
効果 短時間で、均一なZnO薄膜をスパッタリングのような物理蒸着法で形成させ、効率的にシリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価を行うことができる。
技術概要
定量評価装置1は、超音波発振部27と超音波受信部28とを有する検出手段5と、完全結晶シリコンで構成されたシリコンウェーハ26に超音波発振部27と超音波受信部28とを形成したシリコン試料6と、シリコン試料6に対し外部磁場を印加する磁力発生手段4と、シリコン試料6を50K以下の温度域に冷却、制御可能な冷却手段3とを備える。超音波発振部27と超音波受信部28とは、この温度域で温度降下に伴うシリコンウェーハ26の膨張に追随できる物性をもち、電場を印加したまま温度を下げると分子軸が電場方向に配向される高分子材料で形成した薄膜振動子31と、薄膜振動子31に電場を印加する内部電極32、外部電極33とを有するトランスデューサ30を備える。薄膜振動子31は、フッ化ビニリデンCH↓2CF↓2(VDF)の重合体(PVDF)とさせるのが好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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