出願番号 |
特願2006-077658 |
出願日 |
2006/3/20 |
出願人 |
国立大学法人 新潟大学 |
公開番号 |
特開2007-256386 |
公開日 |
2007/10/4 |
登録番号 |
特許第4505648号 |
特許権者 |
国立大学法人 新潟大学 |
発明の名称 |
全固体エレクトロクロミックデバイス、エレクトロクロミック膜とその製造方法 |
技術分野 |
電気・電子 |
機能 |
材料・素材の製造 |
適用製品 |
全固体エレクトロクロミックデバイス、エレクトロクロミック膜 |
目的 |
変色応答速度が速い全固体エレクトロクロミックデバイス、及び、高速かつ明瞭な多重エレクトロクロミック特性を有する、全固体エレクトロクロミックデバイス、エレクトロクロミック膜とその製造方法を提供する。 |
効果 |
固体電解質層がアガロースゲルからなることで、変色応答速度が速い全固体エレクトロクロミックデバイスまた、エレクトロクロミック層がWO↓3/Ru錯体複合膜であることで、高速かつ明瞭な多重エレクトロクロミック特性を有する、全固体エレクトロクロミックデバイスを提供できる。 |
技術概要
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一対の電極基板の間にエレクトロクロミック層と固体電解質層とを挟持してなる全固体エレクトロクロミックデバイスは、固体電解質層がアガロースゲルからなり、エレクトロクロミック層がWO↓3/Ru錯体複合膜である。WO↓3/Ru錯体複合膜は、過酸化タングステン酸とRu錯体を含む水溶液に高分子電解質を加えてコロイド溶液を調製し、このコロイド溶液から電解析出法により電極基板上にWO↓3/Ru錯体を析出させることによって形成されたものである。過酸化タングステン酸とRu錯体を含む水溶液に高分子電解質を加えてコロイド溶液を調製し、このコロイド溶液から電解析出法により電極基板上にWO↓3/Ru錯体を析出させることによって形成されたエレクトロクロミック膜である。一方の電極基板1aの電極層3a上には、エレクトロクロミック層4が形成されている。このエレクトロクロミック層4はWO↓3/Ru錯体複合膜から構成されている。エレクトロクロミック層4をWO↓3/Ru錯体複合膜から構成することによって、高速かつ明瞭な多重エレクトロクロミック特性を有する、全固体エレクトロクロミックデバイスを提供できる。 |
実施実績 |
【無】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【否】
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特許権実施許諾 |
【可】
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