電界強磁性共鳴励起方法及びそれを用いた磁気機能素子

開放特許情報番号
L2011005612
開放特許情報登録日
2011/11/11
最新更新日
2015/10/1

基本情報

出願番号 特願2011-181654
出願日 2011/8/23
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2013-045840
公開日 2013/3/4
登録番号 特許第5673951号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 電界強磁性共鳴励起方法及びそれを用いた磁気機能素子
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア、材料・素材の製造
適用製品 機能素子、論理素子、高周波検波素子及び磁気記録装置等の磁気機能素子等
目的 究極的に低消費電力な電界駆動型強磁性共鳴励起手法、及び、この電界駆動型強磁性共鳴励起手法を用いたスピン波・スピン流信号生成素子、及び、それを用いた論理素子、また、高周波検波素子及び磁気記録装置等の磁気機能素子を提供する。
効果 強度を有する磁界を印加した上で、磁気異方性制御層と電極層との間に、磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界を印加するだけで、効率よく強磁性共鳴ダイナミクスを励起する。これにより、室温での動作、高い繰り返し動作耐性、単純な作製プロセスによる製造コストを低減することもできる。
電界駆動を基本としたスピン波信号生成素子、スピン流信号生成素子を信号入力・制御に用いた論理素子や、高周波検波素子及び磁気記録装置等、さまざまな磁気機能素子として利用することが可能になる。
技術概要
伝導電子による電界シールド効果が起きない程度に十分薄い超薄膜強磁性層2と、磁気異方性制御層1とを直接積層し、超薄膜強磁性層側に絶縁障壁層3及び電極層4を順に配置した積層構造体に対し、特定の磁界印加角度及び磁界強度を有する磁界を印加する。そして、磁気異方性制御層と電極層との間に、磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界を印加することにより、効率的に超薄膜強磁性層に強磁性共鳴を励起する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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