ヘキサチアペンタセン化合物及びその製造方法、並びにそれからなる光触媒

開放特許情報番号
L2011005570
開放特許情報登録日
2011/11/11
最新更新日
2015/1/21

基本情報

出願番号 特願2010-136445
出願日 2010/6/15
出願人 国立大学法人 岡山大学
公開番号 特開2012-001463
公開日 2012/1/5
登録番号 特許第5652856号
特許権者 国立大学法人 岡山大学
発明の名称 ヘキサチアペンタセン化合物及びその製造方法、並びにそれからなる光触媒
技術分野 有機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 ヘキサチアペンタセン化合物、ヘキサチアペンタセン化合物の製造方法、ヘキサチアペンタセン化合物からなる光触媒、、ヘキサチアペンタセン化合物からなる有機半導体材料
目的 有機半導体材料に関して、700〜800nmの波長領域に吸収を持つ材料は少なく、その殆どは金属錯体を骨格中に有しており、炭素、水素、酸素、硫黄等の軽元素のみからなり広い波長領域に吸収を持つ有機半導体材料の開発が待ち望まれている。このような有機半導体材料としてヘキサチアペンタセンがあるが、溶解性が低く、例えば、ウェットプロセスによる薄膜形成等が困難で、溶解性の向上が望まれていた。そこで、安定性に優れるとともに、高い溶解性を示し、有機半導体材料や光触媒として好適なヘキサチアペンタセン化合物を提供する。
効果 安定性に優れるとともに、高い溶解性を示すため、ウェットプロセスによる薄膜形成等が可能な、新しいヘキサチアペンタセン化合物を提案することができた。このヘキサチアペンタセン化合物は、有機半導体材料や光触媒として好適に用いることができる。
技術概要
一般式で示されるヘキサチアペンタセン化合物[式中、R↑1、R↑2、R↑3及びR↑4は、それぞれ独立して置換基を有してもよい炭素数1〜100の有機基及びハロゲン原子から選択される少なくとも1種である。]が提供される。このヘキサチアペンタセン化合物は、ペンタセン骨格の4,5,6,11,12及び13位に硫黄原子が導入されてなるため、安定性に優れるとともに、2,3,9及び10位に置換基を有してもよい炭素数1〜100の有機基及びハロゲン原子から選択される置換基が導入されてなるため、高い溶解性を示す。このヘキサチアペンタセン化合物の製法は、ペンタセン化合物を有機溶媒中で単体硫黄と反応させることにより一般式で示されるヘキサチアペンタセン化合物を得ることができる。図に、ヘキサチアペンタセンデンドリマー化合物1aおよび化合物1bの↑1H NMRのスペクトル図およびCHCl↓3中における紫外可視吸収スペクトル図を示す。
イメージ図
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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