半導体集積回路装置、ICカードおよび検査装置

開放特許情報番号
L2011005557
開放特許情報登録日
2011/11/4
最新更新日
2011/11/4

基本情報

出願番号 特願2007-312881
出願日 2007/12/3
出願人 パナソニック株式会社
公開番号 特開2008-071490
公開日 2008/3/27
登録番号 特許第4359327号
特許権者 パナソニック株式会社
発明の名称 半導体集積回路装置、ICカードおよび検査装置
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 半導体集積回路装置
目的 不揮発性半導体メモリを内蔵したICカードが金融分野・交通分野などで普及しつつあり、このような分野で利用されるICカードは正常な状態で長期間使用できることが望ましい。 ところが、不揮発性半導体メモリへの書き込み動作時にリーダライタからICカードが引き抜かれたり、不揮発性半導体メモリへの書き込み回数が多くなること等の原因でICカードが故障することがある。 この発明は、不揮発性半導体メモリを正常な状態で長期間使用することができる半導体集積回路装置の提供を目的とする。
効果 検査回路を設けることにより、不揮発性半導体メモリが正常な状態であるか否かを判定することができる。これにより、不揮発性半導体メモリが故障した状態のままで使用され続けるような状況を防ぐことができる。この結果、不揮発性半導体メモリが正常な状態で長期間使用されることになる。
技術概要
半導体集積回路装置は、不揮発性半導体メモリと、検査回路とを備える。 不揮発性半導体メモリは、メモリセルアレイと、エラー訂正回路とを含む。 メモリセルアレイは、行および列に複数の読み出し単位に分割される。エラー訂正回路は、複数の読み出し単位の各々に書き込むべきデータのエラー訂正符号化を行い、複数の読み出し単位の各々から読み出されたデータのエラー検出およびエラー訂正を行う。 検査回路は、不揮発性半導体メモリを診断する。検査回路は、メモリセルアレイの各行から一の読み出し単位のデータを読み出すように指示する第1の指示を不揮発性半導体メモリに与える。第1の指示に従って読み出されたデータのエラーがエラー訂正回路によって検出されると検査回路は、このエラーが検出されたデータに対応する行のすべての読み出し単位のデータを読み出すように指示する第2の指示を不揮発性半導体メモリに与える。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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