| 出願番号 |
特願2010-035671 |
| 出願日 |
2010/2/22 |
| 出願人 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 |
特開2011-168558 |
| 公開日 |
2011/9/1 |
| 登録番号 |
特許第5295148号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 発明の名称 |
光反応性部位を有する多孔性配位高分子 |
| 技術分野 |
化学・薬品、有機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
光反応性部位を有する多孔性配位高分子 |
| 目的 |
気体の分子を、整列保持させる方法およびこのようにして気体分子が保持された材料及び製造方法、並びに、高性能なセンサーを提供する。 |
| 効果 |
電子、磁気、吸着、触媒、発光、医薬、担体、分析等をはじめとする各種分野における新規な材料、複合材料、膜、構造物等として好適に使用することができ、高機能・高性能な、機能性膜、機能性複合材料、機能性構造体、及び、分子レベルでの検出乃至分析が可能である高性能なセンサーを提供できる。 |
技術概要
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金属イオンと該金属イオンに配位可能な有機化合物（配位子）とが繰り返し単位を構成する多孔性配位高分子化合物は、光照射することにより細孔内に電子欠損種を発生させることが可能である。光照射することによって得られる電子欠損種がラジカル、カルベンまたはナイトレンである。構成要素となる配位子に電子欠損種を生じさせる為の官能基部位としてアジド基を有する。構成要素となる配位子が、式１から式４を含む多孔性配位高分子化合物である。式中、Ｌ↓Ａは、光照射により電子欠損種を生じさせる為の官能基部位であり、Ｌ↓Ｂは、金属原子と配位結合を形成する基である。構成要素となる配位子は、５−アジドイソフタル酸を含む。構成要素となる金属イオンは、Ａｌ↑３↑＋、Ｆｅ↑３↑＋、Ｃｏ↑２↑＋、Ｎｉ↑２↑＋、Ｃｕ↑２↑＋及びＺｎ↑２↑＋から選ぶ。溶液中で金属イオンを放出する化合物と金属イオンに配位可能な有機化合物（配位子）を溶液中で反応させて多孔性配位高分子化合物を製造する方法である。図は、〔Ｚｎ↓２（ａｉｐ）↓２（ｂｐｙ）↓２（ＤＭＦ）〕↓ｎの結晶構造模式図である。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
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| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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