マイクロ波高調波処理回路

開放特許情報番号
L2011005481
開放特許情報登録日
2011/10/28
最新更新日
2014/7/31

基本情報

出願番号 特願2009-217816
出願日 2009/9/18
出願人 国立大学法人電気通信大学
公開番号 特開2011-066839
公開日 2011/3/31
登録番号 特許第5549007号
特許権者 国立大学法人電気通信大学
発明の名称 マイクロ波高調波処理回路
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 高出力HEMT(High Electron Mobility Transistor)、高調波、インピーダンス、トランジスタ出力端子の電流および電圧波形を制御
目的 各種応用が見込まれている5.8GHz帯のF級増幅器を考えた場合、7次高調波である40.6GHzまでの周波数に対して、理想的なF級増幅器は実現できなかったため、5.8GHz帯F級増幅器では、3次高調波までの処理が限界であり、増幅器の負荷電力効率も68%程度であるため、必要とされるマイクロ波帯における85%以上の電力効率とは大きな開きがあることに鑑み、電力効率を大幅に向上することの実現。
効果 各層が電気的にシールドされ、第1伝送線路層と第2伝送線路層とが結合しなくなる。また、接続部の物理的面積の増大により生ずる寄生成分と回路素子が近接して配置されることによる素子同士の磁気結合及び電気結合を抑制することができる。これにより、理想的な複数の並列先端開放スタブを接続でき、マイクロ波帯における超高効率のF級電力増幅器などにおいて顕著な効果が得られる。
技術概要
この技術は、入力端子がトランジスタの出力端子に接続され、所定の電気長を有する直列伝送線路と、直列伝送線路の出力端子に1点で並列接続され、2次以上でn次(nは任意の整数)までの高調波に対してそれぞれが所定の電気長を持つ異なる長さの(n−1)個の並列先端開放スタブとを有するマイクロ波高調波処理回路であって、直列伝送線路と(n−1)個の並列先端開放スタブの内の2つの並列先端開放スタブが1つの接続点で接続されて構成された第1伝送線路層と、2つの並列先端開放スタブを除く(n−3)個の並列先端開放スタブが1つの接続点で接続されて構成された第2伝送線路層と、第1伝送線路層と第2伝送線路層との間に配置された接地層と、第1伝送線路層における接続点と第2伝送線路層における接続点とを電気的に接続するビアとを有する。
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【有】   
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