SiOxを用いた蛍光体の被覆方法

開放特許情報番号
L2011005448
開放特許情報登録日
2011/10/21
最新更新日
2015/7/28

基本情報

出願番号 特願2010-249683
出願日 2010/11/8
出願人 国立大学法人 新潟大学
公開番号 特開2012-102184
公開日 2012/5/31
登録番号 特許第5750775号
特許権者 国立大学法人 新潟大学
発明の名称 SiOxを用いた蛍光体の被覆方法
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 SiOxを用いて蛍光体表面にSiO↓2のコーティングを行う蛍光体の被覆方法
目的 還元雰囲気下において蛍光体表面にSiO↓2を被覆する蛍光体の被覆方法を安価に提供する。
効果 安価でかつ還元雰囲気下で取扱い可能であるSiOxを利用するために商業的に実用可能なシリカ(SiO↓2)のコーティングを蛍光体表面に施すことが可能である。
ある程度の大きさの蛍光体粉末を核として、この核を囲繞するようにその外周面に高密度なSiO↓2のコーティングがなされる。言い換えれば、本発明により、コアシェル構造の蛍光体粉末を作製することができる。高密度なSiO↓2のコーティングは、蛍光体の発光強度のさらなる向上にも寄与する。
技術概要
本発明の蛍光体の被覆方法は、予め合成された蛍光体粉末を還元雰囲気ガス中に載置し、蛍光体粉末に向けて気相状態のSiOx(0.8≦x≦1.2)を供給して、蛍光体粉末の外周表面にSiO↓2を被覆することを特徴とする。また、以下の方法で被覆を行っても良い。もう一つの被覆方法は、予め合成された蛍光体粉末と、固体粉末状のSiOx(0.8≦x≦1.2)と、を混合し、気体を流通させながら混合物を加熱して、前記蛍光体粉末の外周表面にSiO↓2を被覆することを特徴とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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