透過光制御デバイス

開放特許情報番号

L2011005433

開放特許情報登録日

2011/10/21

最新更新日

2016/6/21

基本情報

出願番号	特願2013-520535
出願日	2012/6/11
出願人	国立大学法人　新潟大学
公開番号	WO2012/173071
公開日	2012/12/20
登録番号	特許第5920734号
特許権者	国立大学法人　新潟大学
発明の名称	透過光制御デバイス
技術分野	情報・通信
機能	制御・ソフトウェア
適用製品	透過光制御デバイス
目的	シャープな波長幅を有しながら透過光のピーク波長やピーク強度を制御可能な透過光制御デバイスを提供する。
効果	本発明の透過光制御デバイスは、簡素な構成で、透過光を制御することができる。 透過光をシャープな波長幅（半値幅が狭く）に保ちながら、ピーク波長のシフトやその強度の増減（つまり透過光のスイッチング）が可能となり、ピーク波長の最大２５０ｎｍのシフトが可能であり、１倍〜６倍の範囲でのピーク強度の増減が可能である。 また、透過光制御デバイスを何度も繰り返し使用することができる。 また、本発明の技術思想を応用すれば、色の変調が可能なカラーフィルター、高効率な太陽電池、バイオセンサーも実現可能である。
技術概要	微細構造が表面上に周期的に形成されたグレーティング基板と、 前記基板上に堆積された金属薄膜と、 前記金属薄膜上に導電性高分子が堆積された導電性高分子層と、 電解質又は緩衝液からなる液体媒体で満たされるとともに、かつ、該液体媒体の一部が前記導電性高分子層に接触したセルと、 前記金属薄膜に作用電極が接続されるとともに、前記液体媒体に対電極と参照電極とが接続された金属薄膜電位制御手段と、 を備え、かつ、 前記基板と前記セルの少なくとも一部とは、光透過性の材料で作られており、 前記制御手段は、前記金属薄膜の電位を変化させることにより、前記導電性高分子層の複素誘電率を変化させて、前記導電性高分子層を透過した光を制御することを特徴とする透過光制御デバイス。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立大学法人新潟大学

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】