ケイ素含有蛍光体及びその製造方法

開放特許情報番号
L2011005425
開放特許情報登録日
2011/10/21
最新更新日
2015/7/28

基本情報

出願番号 特願2010-249682
出願日 2010/11/8
出願人 国立大学法人 新潟大学
公開番号 特開2012-102183
公開日 2012/5/31
登録番号 特許第5750774号
特許権者 国立大学法人 新潟大学
発明の名称 ケイ素含有蛍光体の製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信、機械・加工
機能 材料・素材の製造
適用製品 ケイ素含有蛍光体及びその製造方法
目的 演色性がよく、発光強度に優れたケイ素含有蛍光体及びその製造方法を提供する。
効果 出発原料の一部であるSiO↓xが焼成される段階で、上記所望温度範囲で加熱すると、揮発せずに還元剤として有効に働くため、発光強度に優れた蛍光体を提供することができる。
従来の製造方法と同じ設備をそのまま使用して従来の蛍光体よりも発光強度に優れた蛍光体を提供することができる。
三波長型白色LEDの蛍光体として利用することで、より自然光に近くかつ輝度が飛躍的に向上した白色LEDを提供することできる。
技術概要
ケイ素含有蛍光体の製造方法は、Eu、Ce、Mn、Sm及びTbのうちの少なくとも一つの元素からなる発光イオンを含んだ化合物と、SiO↓x(0.8≦x≦1.2)と、を混合し、800℃〜1500℃の温度範囲内で混合物を焼成することを特徴とする。焼成温度範囲が900℃〜1400℃であることが好ましい。また、SiO↓2をさらに添加して混合することが好ましい。製造方法によれば、出発原料の一部であるSiO↓xが焼成される段階で、所望の温度範囲で加熱すると、揮発せずに還元剤として有効に働くため、発光強度に優れた蛍光体となる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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