シリコンウェーハ中に存在する原子空孔濃度の定量評価方法、シリコンウェーハの製造方法、および当該製造方法により製造したシリコンウェーハ

開放特許情報番号
L2011005413
開放特許情報登録日
2011/10/21
最新更新日
2014/2/26

基本情報

出願番号 特願2011-529866
出願日 2010/8/19
出願人 国立大学法人 新潟大学
公開番号 WO2011/027670
公開日 2011/3/10
登録番号 特許第5425914号
特許権者 国立大学法人 新潟大学
発明の名称 シリコンウェーハ中に存在する原子空孔濃度の定量評価方法及びシリコンウェーハの製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造、検査・検出
適用製品 定量評価方法、シリコンウェーハの製造方法、シリコンウェーハ
目的 より効率的にシリコンウェーハ中に存在する原子空孔濃度を評価することができる定量評価方法、シリコンウェーハの製造方法、および当該製造方法により製造したシリコンウェーハを提供する。
効果 温度一定の状態で印加する外部磁場を変化させて弾性定数の変化量を測定することとしたことにより、測定時間を短縮することができるので、より効率的にシリコンウェーハ中に存在する原子空孔濃度を評価することができる。
技術概要
より効率的にシリコンウェーハ中に存在する原子空孔濃度を評価することができる定量評価方法、シリコンウェーハの製造方法、および当該製造方法により製造したシリコンウェーハを提供する。シリコンウェーハ26を一定の温度に保持したまま、前記シリコンウェーハ26に外部磁場を印加した状態で、超音波パルスを発振すると共に、前記超音波パルスを前記シリコンウェーハ26中に伝搬させた測定波パルスを受信し、前記超音波パルスと前記測定波パルスとの位相差を検出する検出工程と、前記位相差から弾性定数を算出する算出工程とを備える。前記外部磁場を変化させて、当該外部磁場の変化に対応した前記弾性定数を算出することにより、前記シリコンウェーハ26中の原子空孔濃度を評価する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT