良伝導性非晶質合金、弱電用良伝導性非晶質合金および強電用良伝導性非晶質合金

開放特許情報番号
L2011005399
開放特許情報登録日
2011/10/21
最新更新日
2011/10/21

基本情報

出願番号 特願2010-005380
出願日 2010/1/14
出願人 国立大学法人東北大学
公開番号 特開2011-144416
公開日 2011/7/28
発明の名称 良伝導性非晶質合金、弱電用良伝導性非晶質合金および強電用良伝導性非晶質合金
技術分野 電気・電子、機械・加工、情報・通信
機能 材料・素材の製造、加熱・冷却、その他
適用製品 電気抵抗が極めて小さい材料。電子回路の配線、電極・照明材といった弱電用材料として、情報処理を行う超高速集積・極低電力システムに使用可能。また、送電線、発電・電動・変圧捲線材といった強電用材料としても使用可能。
目的 この発明は、単電子トンネリングを利用して、低温から室温まで動作可能な良伝導性非晶質合金、弱電用良伝導性非晶質合金および強電用良伝導性非晶質合金を提供する。
効果 この発明によれば、単電子トンネリングを利用して、低温から室温を経て中温度域まで動作可能な良伝導性非晶質合金、弱電用良伝導性非晶質合金および強電用良伝導性非晶質合金を提供することができる。
技術概要
電気伝導性材料は、産業・社会においてなくてはならないものである。電気伝導性は銀が最も良好であるが、価格が高いため、電気伝導性材料としてはもっぱら銅が用いられている。しかし、従来の集積回路に使われている金・銀・銅系の配線を、さらに低抵抗化して抵抗熱を抑えたり、熱放電を向上させたりする必要がある。この意味で、従来の結晶金属を用いる方法に代えて非晶質合金を用いる方法が検討されているが、まだ実用化に十分な低い電気抵抗は得られていない。この発明の電気伝導性材料は、伝導島を有する孤立した複数の金属クラスターが、サブナノスケールの絶縁層を介して連続して連なった集積ナノ構造を有している。電子が、伝導島を介して、極低温から500℃の範囲で各金属クラスター間をトンネリングするよう構成されており、直流・交流のバリスティック伝導を示す。また、各金属クラスター間にサブナノスケールの原子空孔が均一に分布している。水素原子が各金属クラスター間に侵入固溶した、Ni−Nb−Zr系非晶質合金またはTi−Ni−Cu系非晶質合金から形成されたものでもよい。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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