半導体装置、および半導体装置の製造方法

開放特許情報番号
L2011005369
開放特許情報登録日
2011/10/14
最新更新日
2014/5/21

基本情報

出願番号 特願2010-032977
出願日 2010/2/17
出願人 国立大学法人島根大学
公開番号 特開2011-171456
公開日 2011/9/1
登録番号 特許第5499357号
特許権者 国立大学法人島根大学
発明の名称 半導体装置の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体装置
目的 薄膜トランジスタ用半導体層の材料として、高い正孔移動度を示すp形半導体多結晶薄膜を、かつ、低い成膜温度でのプラスチック基板上への成膜をも行うことのできるp形半導体多結晶薄膜を、提供する。
効果 薄膜トランジスタ(TFT)用材料として十分高い10cm↑2/Vs程度以上の正孔移動度を示すp形半導体多結晶薄膜が得られる。しかも、その成膜は、300℃以下の低い基板温度で行うので、プラスチック基板上への成膜をも行うことができる。
技術概要
p形GaSb↓yAs↓1↓−↓y多結晶薄膜をp形層に用いる半導体装置または絶縁ゲート形電界効果薄膜トランジスタの製造方法は、ガラス、プラスチック、ステンレス基板のような非結晶質または多結晶基板1上に、基板の温度を300℃以下とし、成長膜へのGa、Sb、及びAs原子のそれぞれの供給量J↓G↓a、J↓S↓b、及びJ↓A↓sを、J↓S↓b<J↓G↓a<J↓A↓s+J↓S↓bを満たすような値として、Ga、Sb、及びAs原子を同時供給して真空蒸着により、Sb組成yが0.5<y<1を満たすp形GaSb↓yAs↓1↓−↓y多結晶薄膜を堆積する工程、を含む。絶縁ゲート形電界効果薄膜トランジスタの製造方法は、p形GaSb↓yAs↓1↓−↓y多結晶薄膜を堆積する工程が、基板、基板上に形成された所要の層上に、基板の温度を300℃以下とし、Ga原子の供給量J↓G↓aに対し、As原子の供給量J↓A↓sをJ↓G↓aの0.2倍以上、Sb原子の供給量J↓S↓bをJ↓G↓aの0.8倍として、Ga、Sb、及びAs原子を同時供給して真空蒸着により、p形GaSb↓0↓.↓8As↓0↓.↓2多結晶薄膜を堆積する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 この半導体多結晶薄膜は、GaSbにAsを加えてGaSbAsという3元混晶とすることにより、300℃以下の低い基板温度でも単一相の結晶成長が可能であり、しかも、GaSbAs多結晶は、As組成が小さいうちは粒界ポテンシャル障壁が低いことより、高い正孔移動度を得られる。したがって、かかるAs組成が小さいGaSbAs混晶よりなるp形多結晶薄膜によって、プラスチック上にも形成できる高移動度のp形半導体多結晶薄膜が得られ、動作速度の速い半導体装置が得られる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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