| 出願番号 |
特願2005-026562 |
| 出願日 |
2005/2/2 |
| 出願人 |
国立大学法人三重大学 |
| 公開番号 |
特開2006-213551 |
| 公開日 |
2006/8/17 |
| 登録番号 |
特許第4802321号 |
| 特許権者 |
国立大学法人三重大学 |
| 発明の名称 |
カーボンナノチューブ成長方法 |
| 技術分野 |
電気・電子、無機材料 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
品質制御、コスト、成長させるカーボンナノチューブの直径や長さなどを制御する技術、電子デバイス、低電力消費 |
| 目的 |
ＣＶＤ法においてカーボンナノチューブの直径制御が困難である原因、特に直径の細いカーボンナノチューブを効率よく得ることが困難である原因として、触媒金属微粒子の制御が困難であることがあげられることに鑑み、触媒金属の微粒子化と、触媒金属の微粒上に細径のカーボンナノチューブを成長させる方法の提供。 |
| 効果 |
外径が６０ｎｍ以下の細径カーボンナノチューブが効率的に得られ、この細径カーボンナノチューブを利用したＦＥＤ用陰極材、リチウムイオン２次電池用負極材、集積回路用層間配線材、又は走査型プローブ顕微鏡用探針用等の用途が期待できる。 |
技術概要
 |
この技術は、平滑な基板表面を乾式エッチングして高さ５ｎｍ〜１μｍの微細突起を形成する工程と、微細突起上に膜厚が０．５ｎｍ〜５０ｎｍの金属触媒の薄膜を蒸着させる工程と、触媒金属上に化学気相成長法（ＣＶＤ法）によりカーボンナノチューブを成長させる工程を含む細径カーボンナノチューブの製造方法に関わる。ここにおいて、基板としてＳｉ、窒化ガリウム（ＧａＮ）等の化合物半導体又はガラス基板が好ましく、又乾式エッチングとして装置チャンバー内でプラズマを発生させ、生成したイオンやラジカルを利用してエッチングする反応性イオンエッチング法が好ましい。又、金属触媒として鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ），白金（Ｐｔ）、パラディウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）又はアルミニウム（Ａｌ）から選ばれる何れの金属を使用しても良いが、特に鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）の何れかの金属又はその合金が好ましい。更には、細径カーボンナノチューブとして、カーボンナノチューブの外径が１ｎｍ〜６０ｎｍのものが好ましい。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)