窒化物半導体薄膜の製造方法

開放特許情報番号
L2011005039
開放特許情報登録日
2011/9/16
最新更新日
2013/10/29

基本情報

出願番号 特願2009-119315
出願日 2009/5/15
出願人 学校法人立命館
公開番号 特開2010-267888
公開日 2010/11/25
登録番号 特許第5343274号
特許権者 学校法人立命館
発明の名称 窒化物半導体薄膜の製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信、その他
機能 材料・素材の製造、その他
適用製品 発光ダイオード等の光デバイスやトランジスタ等の電子デバイス
目的 この発明は、基板上に金属と活性窒素種とを供給して反応させる窒化物半導体薄膜の製造方法において、金属と活性窒素種との供給比率を容易に制御可能とし、かつ、結晶品質や表面平坦性に優れた窒化物半導体薄膜を形成可能とする手段を提供する。
効果 この発明の窒化物半導体薄膜の製造方法によれば、金属と活性窒素種との供給比率を、ストイキオメトリ条件を越えて金属が過剰な条件、という広い領域内で保持することができる。従って、従来と比較すると、金属と活性窒素種との供給比率に厳密な制御が要求されず、制御が容易化する。また、常に金属が過剰な条件下で結晶を成長させるので、結晶品質や表面平坦性に優れた薄膜が安定して得られる。
技術概要
発光ダイオード等の光デバイスやトランジスタ等の電子デバイスの材料としては、窒化物半導体が有用で、分子線エピタキシー法(MBE法)や、有機金属気相成長法(MOCVD法)等が従来用いられていた。しかし、従来の窒化物半導体薄膜の製造方法では、金属を1種類の元素で組成する場合、金属と活性窒素種との供給比率を、ストイキオメトリ条件より僅かに金属が過剰に供給される条件という非常に狭い領域で保持する必要があり、そのため、非常に厳密な制御が要求されるという問題があった。この発明の窒化物半導体薄膜の製造方法は、インジウムをストイキオメトリ条件Sを越えて過剰に供給する金属過剰供給工程と、この金属過剰供給工程で基板10の上に析出したインジウムドロップレット15を、活性窒素種12をストイキオメトリ条件Sに達するまで供給することによってインジウムナイトライド層16に転換するドロップレット転換工程と、を含むものである。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 立命館大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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