不揮発性メモリ素子

開放特許情報番号
L2011004976
開放特許情報登録日
2011/9/9
最新更新日
2015/10/1

基本情報

出願番号 特願2011-141308
出願日 2011/6/27
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2013-008884
公開日 2013/1/10
登録番号 特許第5656229号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 抵抗変化型不揮発性メモリ素子
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 材料・素材の製造
適用製品 不揮発性メモリ素子
目的 遷移金属酸化物を用いた不揮発性メモリにおいて、メモリ抵抗の可逆的な変化を化学的変質によらない、メモリ抵抗変化の繰り返しに材料の劣化が起きにくい、メモリ抵抗変化の繰り返し特性に優れ、メモリ抵抗状態の安定した保持特性を有する抵抗変化型不揮発性メモリ素子を提供する。
効果 材料の劣化を防止でき、抵抗変化の高い繰り返し特性が得られ、抵抗状態を安定的に制御して保持でき、変化した抵抗状態を非破壊的に検知できる。
小電力、高速のスイッチング特性を有し耐久性のある不揮発性メモリセルアレイ、メモリ装置を製造することができ、高密度実装によりハードディスクやフラッシュメモリなどのストレージメモリの代替として利用できる。
技術概要
抵抗変化型不揮発性メモリ素子として、第一電極2の金属Ptに、欠損があり導電性を有する強誘電酸化物Bi↓(1-x)FeO↓33を整流性接合し、さらに第二電極4にオーミック接合して、第一電極と第二電極の間に電圧を印加して、Bi↓(1-x)FeO↓3層に電気分極反転を起こして安定したメモリ抵抗変化を実現した。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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