局所電界分布可視化方法とその装置

開放特許情報番号
L2011004935
開放特許情報登録日
2011/9/9
最新更新日
2018/1/5

基本情報

出願番号 特願2010-502901
出願日 2009/3/13
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2009/113670
公開日 2009/9/17
登録番号 特許第5346918号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 局所電界分布可視化方法とその装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、検査・検出
適用製品 局所電界分布可視化装置
目的 ナノ構造体の開発や評価、さらにはナノ構造体やMEMS等の局所電界に依存する機械的歪み解析や動作解析のための手段としての重要性が一層高まりつつある局所電界分布を、1度の画像走査で多階調的に、かつリアルタイムで求めることができる、新しい局所電界分布可視化方法とその装置を提供する。また、局所電界分布の2次元マッピングを行うことができる、新しい局所電界分布可視化方法とその装置を提供する。
効果 ナノ構造体や電子デバイス構造体等の試料のナノスケールでの微細または微小な構造や形状、そして元素構成等に由来する特有な局所電界分布の特徴、特性、機能とその変化をリアルタイムで把握でき、得られた可視化情報はナノ構造体の開発、そして解析にとって極めて重要な貢献を果たすことになる。
技術概要
図1は、局所電界分布可視化の方法を示す概略図、図2は実際の局所電界分布を可視化した状態を示す概略図、図3は局所電界分布解析方法を示す概略図、である。この方法では走査された1次電子線1の位置が突出部2a先端の極近傍である場合は、その散乱角度は大きくなり、最も遠いグリッド5部分に到達する。一方で、突出部2aから離れた位置を通過した1次電子線4(1)の偏向角度は小さく、最も近いグリッド5部分に到達する。この間、1次電子線1の通過位置bは電子線走査とともに変化し、例えば右側から左側へ走査された場合、最初は、1次電子線4(1)はグリッド5に到達せず、従って、突出部2a先端近傍では周辺空間がダーク暗視野として映像化される。ところが、1次電子線1が突出部2aに一定距離近づくと、クーロン斥力を受け、左端のグリッド5に到達するようになる。この段階のSEM画像中の突出部2a最外部はグリッド5からの2次電子により輝度情報が与えられ、白いピクセルとして画像化される。さらに1次電子線1が突出部2aに近づくと、1次電子線4(1)はシリコン基板7に到達するが、シリコン基板7からの2次電子放出量が少ないために、黒いピクセルで画像化される。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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