窒素化合物ガスクラスターイオンビームによる窒化物もしくは窒化表面の形成方法

開放特許情報番号
L2011004909
開放特許情報登録日
2011/9/9
最新更新日
2015/11/9

基本情報

出願番号 特願平10-280525
出願日 1998/9/15
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2000-087227
公開日 2000/3/28
登録番号 特許第3865513号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 窒素化合物ガスクラスターイオンビームによる窒化物もしくは窒化表面の形成方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 窒素化合物ガスクラスターイオンビームによる窒化物
目的 CVD(アンモニアガスの表面吸着と熱分解による窒化)よりも低温で、表面ダメージの少ない窒化ないしは窒化物形成を可能とする。
効果 窒素化合物のガスクラスターイオンビームを用いた窒化物の形成や、試料表面の窒化が可能とされる。ガスクラスター原料としては、窒素、アンモニア、アンモニウム金属錯体等広範囲の窒素化合物が利用可能であり、かつ被処理試料も金属、半導体、絶縁体と様々な物に適用できる。CVD法に比べて低温で処理が可能であり、イオンビームアシスト法よりは表面のダメージが小さい等の優れた効果が得られる。
技術概要
GaAs基板表面に、窒素化合物のガスクラスターのイオンビームを照射することにより窒化物もしくは窒化表面を形成する窒化物もしくは窒化表面の形成方法である。窒素化合物は、窒素、アンモニア、酸化窒素、有機含窒素化合物、もしくはアンモニウムまたは有機含窒素化合物の金属錯体である。不活性ガスもしくは他種元素化合物のクラスターイオンビームをともに照射する方法である。形成されたクラスターがクラスター発生部(A)とイオン化部(B)との仕切に設けられたスキマーを通ってイオン化部(B)、加速部(C)に入射する。クラスターはイオン化部(B)で、たとえばフィラメントで発生させた熱電子照射により1価にイオン化される。引きだし電極により引きだされた後、加速部(C)で加速、収束される。得られたクラスターイオンビーム中のクラスターサイズ分布は、たとえば阻止電圧法により測定できる。必要に応じてアルゴンクラスターイオンビームで基板表面処理(平坦化、清浄化)を行った後、窒素化合物クラスターイオンビームを用いて窒化を行う。また各種金属材料分子線あるいは有機金属をガス状で供給することで、窒化物薄膜成長を行う。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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