レーザ加熱装置

開放特許情報番号
L2011004904
開放特許情報登録日
2011/9/9
最新更新日
2015/11/9

基本情報

出願番号 特願平10-258973
出願日 1998/9/11
出願人 科学技術振興事業団
公開番号 特開2000-087223
公開日 2000/3/28
登録番号 特許第3268443号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 レーザ加熱装置
技術分野 電気・電子
機能 表面処理、検査・検出
適用製品 レーザ加熱装置
目的 真空装置において効率的にかつ適正に試料基板を加熱し得るレーザ加熱装置を提供する。
効果 この種の真空装置において基板の加熱方式としてレーザ光を使用することにより、酸化雰囲気下での使用が可能になり、また絶縁性基板でも有効に加熱することができる。このように装置の適用範囲が大幅に拡大され、その場合磁気ノイズの発生がなく、正確な分析結果等を得ることができる。
技術概要
成膜装置の真空チャンバ内にて基板支持機構に設置した基板に対してレーザ光を照射することにより、基板を所定温度に加熱するようにした、薄膜形成用基板を加熱するためのレーザ加熱装置は、基板支持機構が基板を保持する基板ホルダを備えており、基板ホルダのレーザ光を受光する部分がレーザ光の吸収効率の良い材料で形成されている。基板支持機構は、X軸、Y軸およびZ軸の直交3軸方向に基板の位置調整が可能であり、かつユーセントリック回転が可能な支持機構である。レーザ光は、真空引きされる外装パイプ内に挿通された光ファイバにより基板付近まで誘導される。レーザ加熱装置20は、薄膜形成用基板1を加熱する。成膜装置100の真空チャンバ101内に設置された基板1に対してレーザ光を照射することにより、基板1を所定温度に加熱する。レーザ光を光ファイバ23により基板1付近まで誘導し、光ファイバ23先端から直接的または間接的に基板1に対してレーザ光が照射される。光ファイバ23は外装パイプ24内に挿通するとともに、外装パイプ24内が真空引きされる。光ファイバ23先端から反射ミラー33を介して、基板1に対してレーザ光が照射される。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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