コンビナトリアルレーザー分子線エピタキシー装置

開放特許情報番号
L2011004903
開放特許情報登録日
2011/9/9
最新更新日
2015/11/9

基本情報

出願番号 特願平10-258969
出願日 1998/9/11
出願人 科学技術振興事業団
公開番号 特開2000-086389
公開日 2000/3/28
登録番号 特許第3018001号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 コンビナトリアルレーザー分子線エピタキシー装置
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造、検査・検出
適用製品 コンビナトリアルレーザー分子線エピタキシー装置
目的 分子層ごとにエピタキシャル成長して主として無機系超構造を形成するとともに、短時間で効率的な物質探索をするためのコンビナトリアルレーザー分子線エピタキシー装置を提供する。
効果 装置では、[多原料]×[多基板]×[マスクパターン]×[温度、圧力及び気相からのフラックス(堆積速度)などの反応パラメータ]の組合せを独立に制御し、1シリーズの反応により単分子層ごとのエピタキシャル成長した超格子構造を系統的に合成することができる。
技術概要
コンビナトリアルレーザー分子線エピタキシー装置20は、共通室22、成長室24、アニール室26、余熱加熱室28、ターゲットロードロック室32及び基板ホルダーロードロック室34を備え、これらの各室は真空シールドされ独立して高真空に排気される真空チャンバーとなっている。成長室24には基板ホルダー48に対向して、ターゲット12を装填したターゲットテーブル10と、マスクプレート102とを有し、ターゲット12を気化するエキシマレーザー光13と、薄膜成長基板上の分子層エピタキシャル成長をその場でモニターする反射高速電子線回折(RHEED)とを備えている。基板ホルダー48、マスクプレート102及びターゲットテーブル10のホームポジションと回転位置は、制御装置により管理されると共に、この制御装置により薄膜成長させる基板の位置に対して各回転機構によりマスクパターン104の種類及びターゲットの種類が選択され、単分子層ごとのエピタキシャル成長をその場でRHEEDでモニターしつつ、このモニターと連動してエキシマレーザーをパルス状に照射する時間が制御される。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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