コンビナトリアル分子層エピタキシー装置

開放特許情報番号
L2011004902
開放特許情報登録日
2011/9/9
最新更新日
2015/11/9

基本情報

出願番号 特願平10-258967
出願日 1998/9/11
出願人 科学技術振興事業団
公開番号 特開2000-086388
公開日 2000/3/28
登録番号 特許第3018000号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 コンビナトリアル分子層エピタキシー装置
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 コンビナトリアル分子層エピタキシー装置
目的 分子層ごとにエピタキシャル成長して無機系超構造、金属や有機系超構造を形成するとともに、短時間で効率的な物質探索をするためのコンビナトリアル分子層エピタキシー装置を提供する。
効果 この装置では、[多原料]×[多基板]×[温度、圧力及び気相からのフラックス(堆積速度)などの反応パラメータ]の組合せを独立に制御し、1シリーズの反応により単分子層ごとにエピタキシャル成長した超格子構造を系統的に合成できる。
技術概要
真空チャンバー2と、超高真空ポンプ4と、複数の基板5を保持し回転可能な基板ホルダー6と、基板ホルダー6を加熱するランプヒーター8と、基板ホルダー6に対向して設けられた回転可能なターゲットテーブル10、10と、複数の異なる固体原料のターゲット12と、これらのターゲット12を気化するエキシマレーザー光13、13と、レーザー光を真空チャンバー2内に導入する窓16、16と、薄膜成長基板上の分子層エピタキシャル成長をその場でモニターする反射高速電子線回折(RHEED)の電子銃18と、RHEEDのスクリーン17とを備えている。基板ホルダー6及びターゲットテーブル10、10のホームポジションと回転位置は図示しない制御装置により管理されるとともに、この制御装置により基板が成長する位置に対してターゲットの種類が選択され、エキシマレーザーをパルス状に照射する時間が制御されている。超高真空ポンプ4は真空チャンバー2を10↑−↑1↑0Torr程度に保持できる能力を有することが望ましく、また真空チャンバー2は図示しないバルブの開閉度を調節して圧力制御する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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