導電性透明酸化物

開放特許情報番号
L2011004896
開放特許情報登録日
2011/9/9
最新更新日
2015/11/9

基本情報

出願番号 特願平10-086599
出願日 1998/3/31
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開平11-278834
公開日 1999/10/12
登録番号 特許第3850978号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 導電性透明酸化物
技術分野 無機材料、化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 導電性透明酸化物
目的 平面型表示装置用等の透明電極をはじめ、透明半導体素子としての応用展開が可能な、新しい導電性透明酸化物を提供する。
効果 新規な導電性透明酸化物、また、p型導電性を示す全く新しい導電性透明酸化物を提供できる。この導電性透明酸化物は、従来のITO、AZO等と同様に平面型表示装置用等の透明電極はもちろんのこと、透明半導体素子としての応用も可能であり、透明トランジスタや窓上に配置される太陽電池などに有用である。
技術概要
組成式ABO↓2(A:1価の陽イオンとなる元素、B:3価の陽イオンとなる元素、O:酸素)で示されるデラフォサイト系酸化物であり、Aは、1価のCu又はAgで、Bは、Al、Ga、In、Sc、Y、及びLaから選ぶ元素の1種であり、透明でp型導電性を示す導電性透明酸化物であって、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、及びCdから選ぶ1種以上の元素が添加され、B元素が一部置換された導電性透明酸化物である。デラフォサイト系酸化物の結晶構造の一例を示した結晶構造図である。CuAlO↓2の結晶構造を示しているが、この結晶構造においてCu↑+及びO↑2↑−の周りの対称性は、O↑2↑−の場合、近接する陽イオンが1個のCu↑+と3個のAl↑3↑+であることを除けば、Cu↓2Oのそれに等しい。一方、各イオンは、c軸に垂直な平面に位置し、2次元の層状構造が形成されている。このため、Cu↑+上のd↑1↑0電子間相互作用が2次元に低減されており、CuAlO↓2のバンドギャップはCu↓2Oよりも拡大される。なお、結晶構造中の繰り返し単位は、c軸方向にCu−O−Al−O−Cuとなっている。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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