| 出願番号 |
特願2010-501898 |
| 出願日 |
2009/3/2 |
| 出願人 |
国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 |
WO2009/110431 |
| 公開日 |
2009/9/11 |
| 登録番号 |
特許第5261475号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 発明の名称 |
複合材料及びその製造方法、並びにその製造装置 |
| 技術分野 |
電気・電子、機械・加工 |
| 機能 |
機械・部品の製造、表面処理、材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
複合材料、並びにその製造装置 |
| 目的 |
複合材料及びその製造方法並びにその製造装置において、単結晶や多結晶というシリコンの結晶性によらず、シリコン表面に金属等の膜を積層した機能材料の開発に大きく貢献する。 |
| 効果 |
シリコン表面層に形成された非貫通孔が金属又はその金属の合金によって充填される際に空隙が形成されにくい。その結果、その孔の充填に連続する、その孔内以外のシリコン表面上に形成される第２金属又は第２金属の合金の膜又はそれらの層は、孔の精密な充填効果により、シリコン表面との密着性を高めることができる。 |
技術概要
 |
シリコンの表面から形成された非貫通孔の底部に位置する第１金属が起点となって、非貫通孔が、自己触媒型無電解めっき法を用いた実質的に第２金属又は第２金属の合金により充填されるとともに、シリコンの表面が第２金属又は第２金属の合金で覆われている複合材料である。また、非貫通孔が、粒子状、アイランド状、又は膜状の第１金属が分散配置されたシリコンの表面をフッ化物イオンを含有する溶液に浸漬することにより形成された複合材料である。図１は、母材であるシリコン基板１００の表面上への第１金属の分散配置装置１０の説明図である。図２は、そのシリコン基板１００の表面から非貫通孔を形成する非貫通孔形成装置２０の説明図である。また、図３は、その非貫通孔への第２金属又は第２金属合金を充填するとともに、シリコン基板１００の表面上に第２金属又は第２金属合金の膜又は層を形成するめっき装置３０の説明図である。なお、第１金属は、銀（Ａｇ）であり、その第２金属又は第２金属合金は、コバルト（Ｃｏ）である。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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