単結晶薄膜の製造方法及びその単結晶薄膜デバイス

開放特許情報番号
L2011004846
開放特許情報登録日
2011/9/9
最新更新日
2015/11/9

基本情報

出願番号 特願2010-223441
出願日 2010/10/1
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2011-023742
公開日 2011/2/3
登録番号 特許第5330349号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 単結晶薄膜の製造方法
技術分野 電気・電子、化学・薬品
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 単結晶薄膜デバイス
目的 単結晶シリコン膜のリフトオフが良好であり、かつ高純度の太陽電池用単結晶シリコン膜を得ることができる単結晶薄膜の製造方法及びその単結晶薄膜デバイスを提供する。
効果 単結晶シリコン膜のリフトオフが良好であり、かつ結晶欠陥の少ない、高純度の太陽電池用単結晶シリコン膜を得ることができる。したがって、太陽電池の大幅な低コスト化を図ることができる。具体的には、家庭用太陽光発電システムの全体の2/3のコストを占めるバルク結晶シリコン型モジュールのうち、更にそのコストの4割を占める結晶シリコン基板作製において、高純度シリコンの使用量を1/10〜1/100へと大幅に削減できる。
技術概要
図1は単結晶薄膜の製造工程断面図である。まず、図1(a)に示すように単結晶基板21を準備する。次に、図1(b)に示すように、この単結晶基板21と同一の物質で結晶欠陥を含んだ単結晶犠牲層22をエピタキシャル成長させ形成する。次に、図1(c)に示すように、この単結晶犠牲層22上に同一の物質で結晶欠陥の少ない高純度の単結晶薄膜23をエピタキシャル成長させ形成する。そこで、図1(d)に示すように、前記単結晶犠牲層22をエッチング(溶解)し、結晶欠陥の少ない高純度の単結晶薄膜23を得る。また、この単結晶シリコン薄膜の製造方法によって得られる単結晶シリコン薄膜デバイスである。さらに、この単結晶シリコン薄膜デバイスにおいて、単結晶シリコン薄膜が太陽電池用発電層である単結晶シリコン薄膜太陽電池である。図2は太陽電池用単結晶シリコン薄膜の製造工程断面模式図である。図3は高スループット蒸着(ドープ層形成)装置の模式図である。図4は高スループット蒸着装置のフローに沿って形成される太陽電池発電層の製造断面図である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【改善】
改善効果1 現在顕在化している高純度シリコン不足の問題も解決する。更に、系統電源コストに見合う価格まで低コスト化できれば、政策的支援無しでの太陽電池普及が可能となり、太陽電池市場が大幅に拡大すると期待される。
アピール内容 当ライセンス情報は、独立行政法人科学技術振興機構の『研究成果展開総合データベース(J−STORE)』に掲載中の情報をもとに作成したものです。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT