アモルファス酸化物薄膜

開放特許情報番号
L2011004838
開放特許情報登録日
2011/9/9
最新更新日
2015/11/9

基本情報

出願番号 特願2010-068708
出願日 2010/3/24
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2010-219538
公開日 2010/9/30
登録番号 特許第4568828号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 アモルファス酸化物薄膜
技術分野 電気・電子、化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 アモルファス酸化物薄膜
目的 電子キャリア濃度が低い、アモルファス酸化物薄膜を提供すること、更にはアモルファス酸化物薄膜をチャネル層に用いた薄膜トランジスタを提供する。
効果 電子キャリア濃度が低い、アモルファス酸化物が提供できるとともに、それをチャネル層に用いた薄膜トランジスタの提供が可能となる。
技術概要
スパッタ法、パルスレーザー蒸着法のいずれかの気相成膜法で成膜され、In、Ga、Zn及びOの元素から構成される透明アモルファス酸化物薄膜であって、該酸化物の組成は、結晶化したときの組成がInGaO↓3(ZnO)m(mは6未満の自然数)であり、不純物イオンを添加することなしに、電子移動度が1cm↑2/(V・秒)超、かつ電子キャリア濃度が10↑1↑6/cm↑3以下である半絶縁性である。TFTは、例えば図1に示すように、基板1上にチャネル層2を設け、チャネル層2上にゲート絶縁膜3、ゲート電極4、ソース電極6、ドレイン電極5を設けることにより構成される。図2はトップゲート型TFT素子の電流−電圧特性を示すグラフである。図3はパルスレーザー蒸着装置を示す模式図である。図4はスパッタ製膜装置を示す模式図である。図中、807は被成膜基板、808はターゲット、805は冷却機構付き基板保持手段、814は、ターボ分子ポンプ、815はロータリーポンプ、817はシャッター、818はイオン真空計、819はピラニ真空計、821は成長室(チャンバー)、830はゲートバルブである。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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