アモルファス酸化物薄膜の気相成膜方法

開放特許情報番号
L2011004837
開放特許情報登録日
2011/9/9
最新更新日
2015/11/9

基本情報

出願番号 特願2010-068707
出願日 2010/3/24
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2010-212696
公開日 2010/9/24
登録番号 特許第4568827号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 アモルファス酸化物薄膜の気相成膜方法
技術分野 電気・電子、化学・薬品
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 アモルファス酸化物薄膜の気相成膜システム
目的 電子キャリア濃度が低い、アモルファス酸化物薄膜の成膜方法を提供すること、更にはアモルファス酸化物薄膜をチャネル層に用いた薄膜トランジスタを提供する。
効果 電子キャリア濃度が低い、アモルファス酸化物が提供できるとともに、それをチャネル層に用いた薄膜トランジスタの提供が可能となる。
技術概要
結晶化したときの組成が、式InGaO↓3(ZnO)↓m(mは6未満の自然数)で示される酸化物薄膜のパルスレーザー堆積法又は高周波スパッタ法を用いる気相成膜方法において、酸化物の多結晶をターゲットとして、基板の温度は意図的に加温しない状態で、電気抵抗を高めるための不純物イオンを意図的に薄膜に添加せずに、酸素ガスを含む雰囲気中で基板上に薄膜を堆積させる際に、成膜した薄膜の室温での電子キャリア濃度が10↑1↑6/cm↑3以下となる大きさに酸素分圧の大きさを制御することによって、室温での電子移動度が0.1cm↑2/(V・秒)以上、かつ電子キャリア濃度が10↑1↑6/cm↑3以下である半絶縁性である透明In−Ga−Zn−O薄膜を成膜する。図1は、トップゲート型TFT素子構造を示す模式図である。TFTは、基板1上にチャネル層2を設け、チャネル層2上にゲート絶縁膜3、ゲート電極4、ソース電極6、ドレイン電極5を設けることにより構成される。図2はパルスレーザー蒸着装置を示す模式図である。図3は、スパッタ製膜装置を示す模式図である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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