炭素系薄膜の製造方法

開放特許情報番号
L2011004834
開放特許情報登録日
2011/9/9
最新更新日
2015/11/9

基本情報

出願番号 特願2010-004370
出願日 2010/1/12
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2010-083756
公開日 2010/4/15
登録番号 特許第5131603号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 炭素系薄膜の製造方法
技術分野 化学・薬品、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 炭素系薄膜
目的 新たな炭素系薄膜を提供する。この炭素系薄膜は、粒径が2nmを超えるグラファイトクラスターを含む第1領域と、粒径が2nmを超えるグラファイトクラスターを含まない第2領域とを有し、第1領域および第2領域が表面に露出し、かつ、a)第1領域が金属元素を含む、b)第1領域がグラファイトクラスターとしてプレート状グラファイト構造およびオニオン状グラファイト構造から選ばれる少なくとも一方を含む、の条件から選ばれる少なくとも一方の条件が成立する。
効果 この製造方法では、特性が異なる領域を膜面内に配置した炭素系薄膜、特に面積が大きい薄膜や微細で複雑なパターンを有する炭素系薄膜、を効率的かつ合理的に製造できる。さらに、イオンの注入は表面近傍にとどまらない薄膜の改質を可能とする。イオンの注入量等をエネルギーの供給形態とともに制御することにより、グラファイト構造の形態およびサイズを容易に制御することもできる。特性が異なる2つの領域が膜の表面に露出し、一定の厚さを有する有用性の高い炭素系薄膜を提供できる。
技術概要
まず、図1に示すように、基板30上に、炭素系非晶質薄膜15を形成する。さらに、薄膜15上に、所定のパターンとなるようにマスク31とする薄膜を形成する。引き続き、薄膜15の表面に金属イオン32を注入する。これにより、イオン注入領域をビーム描画によって絞り込むことなく、薄膜には、第1領域となる部分にイオン32が注入される。次いで、図2に示すように、マスク31を除去し、薄膜15に電子線33を照射する。電子線33は、照射領域を絞り込む必要はなく、薄膜15の表面全面に一括照射すればよい。電子線33の照射により、イオンを注入した領域(第1領域11)ではグラファイトクラスターの生成が促進される。イオンを注入しない領域(第2領域12)では電子線を照射しても、グラファイトクラスターの生成は十分に抑制される。こうして、図3に示すように、マスク31のパターンが転写された炭素系薄膜10を得ることができる。この薄膜10では、マスク31の開口部に対応する、グラファイトクラスターが成長した帯状の第1領域11と、マスク31による遮蔽部に対応する、グラファイトクラスターの成長が抑制された帯状の第2領域12とが交互に配置される。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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