超伝導化合物及びその製造方法

開放特許情報番号
L2011004832
開放特許情報登録日
2011/9/9
最新更新日
2018/1/5

基本情報

出願番号 特願2009-554329
出願日 2009/2/17
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2009/104611
公開日 2009/8/27
登録番号 特許第5558115号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 超伝導化合物及びその製造方法
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 超伝導化合物
目的 ペロブスカイト型銅酸化物に代わる遷移金属元素を骨格構造に有する新しい層状化合物群を見出し、電子濃度、格子定数などの物質パラメータを、Tcの高温化を図るために、最適化し、それを実現する化合物組成を発見する。
効果 成分の組み合わせが極めて多数可能で、かつ高い超伝導転移温度を実現可能な新しい系統の化合物群からなる超伝導化合物を提供するものであり、新規超伝導物質開発のブレークスルーとなる画期的効果をもたらす。
技術概要
 
LnTMOPh[ここで、Lnは、Y及び希土類金属元素(La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)の少なくとも一種であり、TMは、遷移金属元素(Fe、Ru、Os、Ni、Pd、Pt)の少なくとも一種であり、Pnは、プニクタイド元素(N、P、As、Sb)の少なくとも一種である。]で示され、ZrCuSiAs型(空間群P4/nmm)の結晶構造を有する化合物の酸素イオンを一価の陰イオン(F↑−、Cl↑−、Br↑−)の少なくとも一種で一部置換した構造を有し、超伝導転移を示す超伝導化合物、である。LnTMOPn化合物薄膜は、単結晶基板上に、まずテンプレートとして機能するTM極薄膜を蒸着法により成膜し、その上に、この方法により得られた焼結多結晶体をターゲットとして、気相法(パルスレーザー蒸着法、スパッター法など)により、アモルファス状態膜を堆積する。最後に、得られた多層膜を、不活性雰囲気中で、約800℃以上1800℃以下の温度でアニールすればよい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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