| 出願番号 |
特願2009-544705 |
| 出願日 |
2008/12/4 |
| 出願人 |
国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 |
WO2009/072550 |
| 公開日 |
2009/6/11 |
| 登録番号 |
特許第5397905号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 発明の名称 |
量子ドットを用いた電子装置 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
量子計算、量子情報処理等に有用な量子ドットを用いた電子装置に適用する。 |
| 目的 |
特定の磁性体から構成される量子ドットを用いた電子装置を提供する。 |
| 効果 |
多量子ビットの各々に個別に、省電力な方法でＥＳＲ制御を行い量子計算を実現することができる量子ドットを用いた電子装置が得られる。 |
技術概要
 |
複数個並べられた半導体量子ドットの各量子ドット８、９近傍に高周波電場を高周波磁場に変換する強磁性体磁石１０を配置し、この強磁性体磁石１０は誘電体を隔てて各量子ドット８、９の上方に積層される強磁性体薄膜からなる量子ドットを用いた電子装置にする。電子スピン共鳴（ＥＳＲ）信号印加電極（高周波電極）７における高周波電場の周波数は、１．６〜３００ＧＨｚに、好ましくは１．６〜３ＧＨｚに、好適には３〜３０ＧＨｚとし、また、量子ドットの上方に積層された強磁性体薄膜は、例えば、コバルト又はコバルトを５０％以上含むコバルト合金を用いて、その厚みが０．０５〜１μｍ、その幅が０．３〜０．４μｍ、その長さが１μｍとするのが好ましい。かくして、強磁場を印加してＥＳＲを生じさせ、強磁性体磁石１０の配置を変えることにより、各量子ドット８、９の共鳴周波数を制御でき、この各量子ドット８、９の共鳴周波数を制御した状態で、各量子ドット８、９間の電子スピンのスワッピングを行い、量子計算に必要な量子ビットを作ることができる。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)