量子ドットを用いた電子装置

開放特許情報番号
L2011004828
開放特許情報登録日
2011/9/9
最新更新日
2018/1/5

基本情報

出願番号 特願2009-544705
出願日 2008/12/4
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2009/072550
公開日 2009/6/11
登録番号 特許第5397905号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 量子ドットを用いた電子装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 量子計算、量子情報処理等に有用な量子ドットを用いた電子装置に適用する。
目的 特定の磁性体から構成される量子ドットを用いた電子装置を提供する。
効果 多量子ビットの各々に個別に、省電力な方法でESR制御を行い量子計算を実現することができる量子ドットを用いた電子装置が得られる。
技術概要
複数個並べられた半導体量子ドットの各量子ドット8、9近傍に高周波電場を高周波磁場に変換する強磁性体磁石10を配置し、この強磁性体磁石10は誘電体を隔てて各量子ドット8、9の上方に積層される強磁性体薄膜からなる量子ドットを用いた電子装置にする。電子スピン共鳴(ESR)信号印加電極(高周波電極)7における高周波電場の周波数は、1.6〜300GHzに、好ましくは1.6〜3GHzに、好適には3〜30GHzとし、また、量子ドットの上方に積層された強磁性体薄膜は、例えば、コバルト又はコバルトを50%以上含むコバルト合金を用いて、その厚みが0.05〜1μm、その幅が0.3〜0.4μm、その長さが1μmとするのが好ましい。かくして、強磁場を印加してESRを生じさせ、強磁性体磁石10の配置を変えることにより、各量子ドット8、9の共鳴周波数を制御でき、この各量子ドット8、9の共鳴周波数を制御した状態で、各量子ドット8、9間の電子スピンのスワッピングを行い、量子計算に必要な量子ビットを作ることができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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