透明導電性薄膜とその製造方法

開放特許情報番号
L2011004823
開放特許情報登録日
2011/9/9
最新更新日
2018/1/5

基本情報

出願番号 特願2009-522676
出願日 2008/7/10
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2009/008486
公開日 2009/1/15
登録番号 特許第5150630号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 透明導電性薄膜の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 カーボンナノチューブに有用な透明導電性薄膜に適用する。
目的 カーボンナノチューブを特定の条件下で処理してなる透明導電性薄膜の製造方法を提供する。
効果 導電性および光透過性のさらなる向上を図ることができ、薄膜形成プロセスの簡便化も図ることができる単層カーボンナノチューブの透明導電性薄膜の製造方法が可能になる。
技術概要
金属性の単層カーボンナノチューブ(m−SWNTs)と半導体性の単層カーボンナノチューブ(s−SWNTs)とが混在する単層カーボンナノチューブを、沸点が200〜400℃のアミンを分散剤として含有するアミン溶液に分散する工程と、得られた分散液を遠心分離または濾過することによりm−SWNTsを濃縮し、m−SWNTs高含有の分散液を得る工程と、得られたm−SWNTs高含有の分散液を基材に塗布して薄膜形成する工程と、からなる透明導電性薄膜の製造方法にする。アミンとしては、例えば、イソプロピルアミン、プロピルアミン、N’−テトラメチレンジアミン等が好ましく用いられる。かくして、実質的に、金属性のm−SWNTsを含有する単層カーボンナノチューブからなり、波長400〜800nmの可視光線の透過率が96〜97%であり、表面抵抗率が5×10↑4Ω/sq.未満である透明導電性薄膜が得られる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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