n型半導体薄膜、ホモpn接合素子及び薄膜太陽電池並びにn型半導体薄膜及びホモpn接合素子の製造方法

開放特許情報番号
L2011004809
開放特許情報登録日
2011/9/9
最新更新日
2015/11/9

基本情報

出願番号 特願2009-276867
出願日 2009/12/4
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2011-119547
公開日 2011/6/16
登録番号 特許第5360587号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 n型半導体薄膜、ホモpn接合素子及び薄膜太陽電池並びにn型半導体薄膜及びホモpn接合素子の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 ホモpn接合素子を有する太陽電池等に有用なn型半導体薄膜に適用する。
目的 特定の金属元素を不純物として含有するn型半導体薄膜を提供する。
効果 現在の薄膜太陽電池で吸収しきれていない光を有効に利用するために、バンドギャップが2eV以上3eV未満でありpn両極性に電気特性を制御できる半導体が可能になる。
技術概要
酸化第一錫(SnO)にAl↑3↑+、Ga↑3↑+、In↑3↑+、Sb↑3↑+から選ばれる3価の陽イオンを不純物として含有し、n型伝導性を示すSnOからなるn型半導体薄膜にする。SnOからなるp型半導体薄膜とn型半導体薄膜とを積層することによりホモpn接合素子が得られ、更に、このホモpn接合素子を用いた薄膜太陽電池が得られる。例えば、ホモpn接合素子は、酸化第一錫(SnO)粉末を焼結したSnOターゲットを用いて物理的成膜法により成膜したp型SnO薄膜と、SnO粉末にAl↑3↑+、Ga↑3↑+、In↑3↑+、Sb↑3↑+から選ばれる3価の陽イオン源の酸化物粉末を添加混合して焼結したSnOターゲットを用いて物理的成膜法により成膜したn型SnO薄膜とを積層することにより形成できる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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