半導体積層構造

開放特許情報番号
L2011004796
開放特許情報登録日
2011/9/9
最新更新日
2015/11/9

基本情報

出願番号 特願2009-189211
出願日 2009/8/18
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2011-040679
公開日 2011/2/24
登録番号 特許第5198385号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 半導体積層構造
技術分野 電気・電子、金属材料、情報・通信
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 スピン軌道相互作用をスピン偏極した電子に及ぼす半導体積層構造として電気・電子分野等で広く利用される。
目的 スピン軌道相互作用を増大させることが可能な半導体積層構造を提供する。
効果 第1界面の電子分布を大きくし、スピン軌道相互作用を増大させることができる。
技術概要
第1半導体層12と、第1半導体層12上に設けられ、第1半導体層12よりバンドギャップの小さい第2半導体層14と、第2半導体層14上に設けられ、第2半導体層14より大きなバンドギャップを有する第3半導体層16と、第1半導体層12と第2半導体層14との間に形成され、スピン軌道相互作用に起因した有効磁場が生じる第1界面32と、第2半導体層14と第3半導体層16との間に形成された第2界面34と、を具備し、第1界面32の伝導帯の不連続エネルギは第1界面32の価電子帯の不連続エネルギより小さい、半導体積層構造である。尚、第1半導体層はInGaAsP層であり、第2半導体層はInGaAs層であり、第3半導体層はInGaAlAsである。また、InGaAs層のIn組成比は0.53以上である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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