スピン依存伝達特性を有する電界効果トランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ

開放特許情報番号
L2011004793
開放特許情報登録日
2011/9/9
最新更新日
2015/11/9

基本情報

出願番号 特願2009-184749
出願日 2009/8/7
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2009-290226
公開日 2009/12/10
登録番号 特許第5121793号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 スピン依存伝達特性を有する電界効果トランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ
技術分野 電気・電子、情報・通信、金属材料
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア、検査・検出
適用製品 簡便な操作で得られ、不揮発性記憶回路等の分野で広く利用される。
目的 ソース及びドレインに強磁性体によるショットキー接合を用いた金属−絶縁体−半導体電界効果トランジスタ(MISFET)を提供する。
効果 トランジスタ単体で1ビットの不揮発性メモリセルを構成できることから、高速・大容量の不揮発性メモリを実現することが可能となる。
技術概要
強磁性体であって、一方のスピンに対しては金属的なバンド構造を、他方のスピンに対しては半導体的又は絶縁体的なバンド構造をとるハーフメタルからなり、スピン偏極した伝導キャリアを注入する強磁性ソース3aと、強磁性ソースから注入されたスピン偏極した伝導キャリアを受けるハーフメタル3a・5aからなる強磁性ドレイン5aと、強磁性ソースと強磁性ドレインとの間に設けられ、強磁性ソース及び強磁性ドレインのそれぞれと接合した半導体層と、半導体層に対して形成されるゲート電極とを有する、トランジスタである。尚、1つのトランジスタを用いて、強磁性ソースに対する強磁性ドレインの相対的な磁化の方向によって情報を記憶し、強磁性ソースと強磁性ドレインとの相対的な磁化の方向に依存するトランジスタの伝達コンダクタンスに基づいてトランジスタ内に記憶された情報を検出する、記憶素子を作製する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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