スピントランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ

開放特許情報番号
L2011004779
開放特許情報登録日
2011/9/9
最新更新日
2015/11/9

基本情報

出願番号 特願2009-062281
出願日 2009/3/16
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2009-135534
公開日 2009/6/18
登録番号 特許第5064430号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 スピントランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ
技術分野 電気・電子、金属材料、情報・通信
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 キャリアのスピンの向きに依存する出力特性を有するトランジスタ及びそれを用いた不揮発性記憶回路(不揮発性メモリ)として情報・通信分野等で広く利用される。
目的 トランジスタ内に含まれる強磁性体に磁化状態によって情報を記憶し、キャリアのスピンの向きに依存するトランジスタの出力特性を用いて情報を読み出す不揮発性メモリを提供する。
効果 1つのトランジスタのみで1ビットの不揮発性メモリセルを構成する高速かつ高集積密度の不揮発性記憶回路の実現が可能となる。
技術概要
絶縁性の強磁性体からなるトンネル障壁385とトンネル障壁を挟み込む強磁性体からなるソース381及び非磁性体または強磁性体からなるドレイン383とにより形成されるトンネル接合構造と、トンネル障壁に対して形成されるゲート電極391とを有する、トランジスタである。尚、ソースまたはドレインに用いる強磁性体は、強磁性金属または強磁性半導体である。また、トンネル障壁の厚さはゲート電極に電圧を印加することによってソースからドレインにトンネル電流が生じる程度に調整されている。また、1つのトランジスタと、トランジスタ内に含まれる強磁性体の磁化の状態を変えることによりトランジスタ内に情報の書き換えを行う情報書き換え手段と、トランジスタの出力特性から磁化の状態として記憶された情報を読み出す情報読み出し手段とを有する、記憶素子を作製する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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