光スイッチ用素子材料及びそれを有する光スイッチ装置並びに光スイッング方法。

開放特許情報番号
L2011004775
開放特許情報登録日
2011/9/9
最新更新日
2015/11/9

基本情報

出願番号 特願2009-034662
出願日 2009/2/17
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2010-191120
公開日 2010/9/2
登録番号 特許第5067699号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 光スイッチ用素子材料及びそれを有する光スイッチ装置並びに光スイッング方法。
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 制御・ソフトウェア、材料・素材の製造
適用製品 擬一次元ハロゲン架橋パラジウム錯体を用いた光スイッチ用素子材料とこの素子材料を有する光スイッチ装置並びに光スイッング方法として情報分野等で広く利用される。
目的 超高速光スイッチングができる光スイッチ用素子材料、それを用いた光スイッチ素子、この光スイッチ素子を有する光スイッチ装置及び光スイッング方法を提供する。
効果 光スイッチ素子用材料を光スイッチ素子とし、この光スイッチ素子を有する光スイッチ装置によれば、全光型で、サブピコ秒の光スイッチングができる。
技術概要
化学式[Pd(en)↓2][Pd(en)↓2Br↓2](C↓n−Y)↓4(H↓2O)[enはエチレンジアミン、C↓n−Yはジアルキルスルホサクシネートであり、nは5〜9、12の何れかの整数である]で表わされる擬一次元ハロゲン架橋パラジウム錯体15からなる光スイッチ素子用材料であって、光スイッチ素子用材料は、所定温度で光反射率の高い電荷密度波相を有し、電荷密度波相が所定温度よりも低温で光反射率の低いモットハバード絶縁体からなるモットハバード相となり、モットハバード相へ第1スイッチング光5が照射されることによってモットハバード相が電荷密度波相へ光誘起相転移され、光誘起相転移された電荷密度波相が、第2スイッチング光6が照射されることによりモットハバード相へ光誘起相転移される。尚、擬一次元ハロゲン架橋パラジウム錯体のジアルキルスルホサクシネート(C↓n−Y)のn値は5〜8の何れかであり、室温で電荷密度波相を有し、室温よりも低温でモットハバード相となる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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