メモリ素子

開放特許情報番号
L2011004772
開放特許情報登録日
2011/9/9
最新更新日
2015/10/2

基本情報

出願番号 特願2009-003368
出願日 2009/1/9
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2010-161272
公開日 2010/7/22
登録番号 特許第5288468号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 メモリ素子
技術分野 電気・電子、情報・通信、金属材料
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 メモリ情報に相応した磁界を発生させることができるアクティブ型メモリ素子等として広く利用される。
目的 新しいタイプのマルチフェロイック材料AFeO↓3(A=ランタノイド元素)固体材料を用いて、制御された磁場を発生し得るメモリ素子を提供する。
効果 低消費電力、超高集積、低製造コストの新しいマルチフェロイック不揮発性メモリ素子(MFM素子)が得られる。
技術概要
AFeO↓3型オルソフェライトからなる強誘電性と反強磁性を併せ持つマルチフェロイック固体材料1を用いて、外部電場により磁化を誘起させる、メモリ素子である。尚、マルチフェロイック固体材料の上下に配置された金属電極2、2’に印加する電圧による外部電界によって分極を発生させ、この時に分極と同時に磁化を発生させ、この磁化によりマルチフェロイック固体材料からなるメモリセル3の外部に磁界が発生するようにし、また、外部電界の方向はAFeO↓3型オルソフェライトのオルソロンビック構造の結晶軸であるc軸[001]方向であり、この時に発生する分極と磁化の方向もc軸[001]方向である。また、マルチフェロイック固体材料は、AFeO↓3型オルソフェライトであり、Aは希土類元素もしくは二種類の希土類元素の混合物からなる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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