核磁気共鳴撮像素子、及びそれを用いた撮像システム、撮像方法

開放特許情報番号
L2011004766
開放特許情報登録日
2011/9/9
最新更新日
2018/1/23

基本情報

出願番号 特願2008-547046
出願日 2007/11/30
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2008/066146
公開日 2008/6/5
登録番号 特許第5131667号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 核磁気共鳴撮像素子、及びそれを用いた撮像システム、撮像方法
技術分野 電気・電子、情報・通信、金属材料
機能 制御・ソフトウェア、材料・素材の製造
適用製品 核磁気共鳴現象を用いて測定対象物の画像を取得する核磁気共鳴撮像素子、及びそれを用いた撮像システム、撮像方法として広く利用される。
目的 核磁気共鳴撮像法による測定対象物の画像取得を高い分解能で行うことが可能な核磁気共鳴撮像素子、及びそれを用いた撮像システム、撮像方法を提供する。
効果 測定対象物の画像取得を高い分解能で行うことが可能となる。
技術概要
基板10と、基板の一方の面である測定面11上に集積化されて設けられ、基板に対して所定領域に設定された核磁気共鳴の測定領域12に磁場を印加して、測定領域内で局所的な測定位置を設定するための磁場印加用電極群20と、基板に対して所定位置に設けられ、基板での測定領域に対してRFパルスを照射するためのRF照射手段とを備え、磁場印加用電極群は、測定領域に対して、設定すべき測定位置に応じた均一磁場を印加する均一磁場用電極25と、測定領域に対して、基板の測定面に平行な第1軸方向について傾斜磁場を印加する第1傾斜磁場用電極30、35と、測定領域に対して、測定面に平行で第1軸と直交する第2軸方向について傾斜磁場を印加する第2傾斜磁場用電極40、45とを有する、核磁気共鳴撮像素子1Aである。尚、磁場印加用電極群は、電極群を構成する各電極のパターン幅が10nm〜10μmの範囲内の幅である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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