半導体製造装置、ゲルマニウムドットの製造方法およびそれを用いた半導体メモリの製造方法

開放特許情報番号
L2011004684
開放特許情報登録日
2011/9/2
最新更新日
2012/3/16

基本情報

出願番号 特願2008-330524
出願日 2008/12/25
出願人 国立大学法人名古屋大学
公開番号 特開2010-153610
公開日 2010/7/8
発明の名称 半導体製造装置、ゲルマニウムドットの製造方法およびそれを用いた半導体メモリの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体製造装置
目的 ゲルマニウムからなるドットの密度を向上可能な半導体製造装置を提供する。また、ゲルマニウムからなるドットの密度を向上可能なゲルマニウムドットの製造方法を提供する。さらに、ゲルマニウムからなるドットの密度を向上可能なゲルマニウムドットの製造方法を用いた半導体メモリの製造方法を提供する。
効果 原子状水素を基板表面に供給しながらゲルマンガスを基板表面に供給してゲルマニウムドットが形成される。その結果、原子状水素がゲルマニウムドットの形成を促進する。したがって、この発明によれば、ゲルマニウムドットの密度を向上できる。
技術概要
図1は半導体製造装置の概略図である。半導体製造装置600は、石英管610と、反応室620と、石英管610内へH↓2ガスを供給する配管650と、石英管610内にリモート水素プラズマを生成するアンテナ670、マッチング回路680および高周波電源690と、反応室620内で基板800を保持する基板ホルダー630と、基板800を加熱するヒーター640と、ゲルマンガスを基板800の近傍に供給する噴出器700および配管710とを備える。ゲルマニウムドットの製造方法は、反応室内に配置された基板を加熱し、基板の表面に原子状水素を供給し、原子状水素が基板の表面に供給されているときにゲルマンガスを基板の表面に供給する。図2はゲルマニウムドットの製造方法を示す工程図である。図3は半導体製造装置を用いて作成したゲルマニウムドットの表面形状を示す図である。図4はゲルマニウムドットを用いた半導体メモリの製造方法を説明するためのフローチャートである。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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