金属ドットの製造方法およびそれを用いた半導体メモリの製造方法

開放特許情報番号
L2011004683
開放特許情報登録日
2011/9/2
最新更新日
2013/5/21

基本情報

出願番号 特願2008-330536
出願日 2008/12/25
出願人 国立大学法人名古屋大学
公開番号 特開2010-153612
公開日 2010/7/8
登録番号 特許第5231977号
特許権者 国立大学法人名古屋大学
発明の名称 金属ドットの製造方法およびそれを用いた半導体メモリの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 金属ドットの製造システムおよびそれを用いた半導体メモリの製造システム
目的 金属薄膜をリモートプラズマによって処理するときのガスの種類によってドットの密度を制御可能な金属ドットの製造方法を提供する。また、金属薄膜をリモートプラズマによって処理するときのガスの種類によってドットの密度を制御可能な金属ドットの製造方法を用いた半導体メモリの製造方法を提供する。
効果 リモートプラズマ処理に用いるガスの種類によって金属ドットの密度を制御できる。また、リモートプラズマ処理に用いるガスの種類によって半導体メモリに用いる金属ドットの密度を制御できる。
技術概要
図1は金属ドットの製造方法を示す工程図である。この製造方法では、SiO↓2膜502がSiからなる半導体基板501上に形成され(工程(b))、金属薄膜504がSiO↓2膜502上に形成される(工程(c))。その後、水素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス、窒素ガス、アンモニアガス、水素ガスとヘリウムガスとの混合ガス、水素ガスとアルゴンガスとの混合ガスおよび水素ガスと窒素ガスとの混合ガスの中から選択したガスを用いたリモートプラズマによって金属薄膜504を処理する(工程(d))。これによって、金属ドット503がSiO↓2膜502上に形成される(工程(e))。図2はリモートプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置の概略図である。プラズマ処理装置600は、石英管610と、反応室620と、基板ホルダー630と、ヒーター640と、配管650と、バルブ660と、アンテナ670と、マッチング回路680と、高周波電源690とを備える。図3は金属ドットを用いた半導体メモリの断面図である。図4は図3に示す半導体メモリの製造方法を説明するためのフローチャートである。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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