半導体メモリ、それを用いた半導体メモリシステム、および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法

開放特許情報番号
L2011004659
開放特許情報登録日
2011/9/2
最新更新日
2011/9/2

基本情報

出願番号 特願2007-236635
出願日 2007/9/12
出願人 国立大学法人広島大学
公開番号 特開2008-270705
公開日 2008/11/6
登録番号 特許第4594971号
特許権者 国立大学法人広島大学
発明の名称 半導体メモリ、それを用いた半導体メモリシステム、および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造、その他
適用製品 半導体メモリ
目的 電荷蓄積効率が良い複合フローティングゲートの構成を有する半導体メモリを提供する。
効果 半導体メモリの電荷蓄積効率を向上させることができ、また、電荷蓄積ノードの電子の保持能力が高くなる結果、半導体基板と、制御ノードとの間に存在する絶縁膜の膜厚を薄く出来るので、高速のメモリ書込およびメモリ消去を実現できる。
技術概要
従来、集積回路は微細化によって高速化と大容量化を達成してきた。ところが、微細化には限界があり、高速化を実現する方法としてシリコン量子ドットへの電子注入によるトランジスタの閾値電圧を制御する方法が提案されている。しかし、制御ノードおよび電荷蓄積ノードの量子ドット内に蓄積した電子は放出され易く、安定な記憶動作が望めないと言う欠点があった。 この技術の半導体メモリは、半導体基板上に形成した絶縁膜上に、極薄Si酸化膜により被膜したSi系量子ドットを積層し、その上に高誘電率絶縁膜で被膜したシリサイド量子ドットを積層する。さらに、高誘電率絶縁膜で被膜したSi系量子ドットを積層した複合フローティング構造を有する。 ゲート電極に所定の正電圧を印加することで電子をシリサイド量子ドットに蓄積し、ゲート電極に所定の負電圧を印加および微弱な光を照射することにより電子を放出することで多値メモリ動作を高速かつ安定的に実行する。
イメージ図
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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