| 出願番号 |
特願2004-064789 |
| 出願日 |
2004/3/8 |
| 出願人 |
国立大学法人広島大学 |
| 公開番号 |
特開2005-252208 |
| 公開日 |
2005/9/15 |
| 登録番号 |
特許第4500995号 |
| 特許権者 |
国立大学法人広島大学 |
| 発明の名称 |
導電性材料、電子回路基板、および、電子回路基板の製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
電極や電子回路基板などの電子部品、微細加工 |
| 目的 |
化学的な方法による電子回路基板の製造において、材料の無駄や加工処理工程の煩雑化を伴うことなく、導電性が比較的高い導電性部分と、それに対する十分な抵抗比率を有する絶縁性部分とを備える電子回路基板を製造する方法、その電子回路基板の製造に用いられる導電性材料、および、このような導電性材料を用いて作製された電子回路基板の提供。 |
| 効果 |
本技術の導電性材料を利用すれば、材料の無駄や加工処理工程の煩雑化を伴うことなく、導電性が比較的高い導電性部分と、それに対する十分な抵抗比率を有する絶縁性部分とを備える電子回路基板を製造することができる。また、この電子回路基板は、導電性材料を利用して得られるものであるため、材料の無駄や加工処理工程の煩雑化を伴うことなく製造することができる。 |
技術概要
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この技術は、ケイ素を含むπ電子系ユニットからなるポリカルボシランに対して、フォトマスクを通して紫外光を照射した後に加熱処理すると、露光部が絶縁性を示し、非露光部が導電性を示すことに基づいて開発されたもので、本技術の導電性材料は、式（式中、Ａｒは、非置換もしくは置換アリーレン、非置換もしくは置換エテニレン、エチニレン、および、これらの２つ以上の組み合わせからなる群からから選択される２価の炭化水素基または複素環基、Ｒ１およびＲ２は、それぞれに独立して水素原子または炭化水素誘導基、Ｘは１〜３の整数、ｎは整数である）に示す構造を基本単位として有するポリマーを含む原料を、薄膜化した後に加熱処理することによって得られる。また、本技術の電子回路基板の製造方法は、基板上に、式に示す構造を基本単位として有するポリマーを含む原料を塗布する塗布工程と、塗布された原料の表面の所定の位置に、酸素存在下で紫外光を照射する光照射工程と、光照射工程の後に、原料が塗布された基板を加熱処理する加熱処理工程と、からなる。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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