陽極酸化アルミナ膜を具備する構造体およびその製造方法並びにその利用

開放特許情報番号
L2011004636
開放特許情報登録日
2011/9/2
最新更新日
2011/9/2

基本情報

出願番号 特願2004-309992
出願日 2004/10/25
出願人 国立大学法人広島大学
公開番号 特開2005-220436
公開日 2005/8/18
登録番号 特許第4631047号
特許権者 国立大学法人広島大学
発明の名称 陽極酸化アルミナ膜を具備する構造体およびその製造方法並びにその利用
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造
適用製品 垂直磁気記録媒体や発光素子等の機能素子
目的 ナノホールの配列を維持したままで、基板の酸化膜を除去し、ナノホール底部に基板の清浄表面を露出させることにより、高結晶性を有するナノロッド配列構造を形成するための、陽極酸化アルミナ膜を具備する構造体、および構造体の内部に磁性体や半導体を充填した高性能な磁気記録媒体や発光素子等の機能性素子の提供。
効果 ナノホールの底部に露出している基板の表面は、酸化膜が除去された、基板の清浄表面である構成を備えているので、基板として単結晶基板を用いた場合に、ナノホール内で、当該単結晶基板から直接種々の磁性体や半導体のナノ構造体を成長させることができる。それゆえ、ナノホール内部に埋め込まれた物質の結晶性を制御することが可能となり、磁気記録媒体や発光素子等の性能を向上することが可能となる。
技術概要
この技術の構造体は、少なくとも、基板と、この基板上に陽極酸化アルミナ膜とを具備する構造体であって、陽極酸化アルミナ膜に形成されているナノホールが基板まで貫通し、基板がナノホールの底部に露出しており、ナノホールの底部に露出している基板の表面は、酸化膜が除去された、基板の清浄表面であることを特徴としている。かかる構造体では、陽極酸化アルミナ膜は、水素分圧が133Pa以下である不活性ガス雰囲気中、または水素分圧が133Pa以下である真空中で、600℃以上、1200℃以下の温度で、熱処理されていることが好ましい。基板は、単結晶基板であることが好ましい。また、II−VI族化合物半導体、III−V族化合物半導体およびIV族元素を含む半導体からなる群より選択される少なくとも1つの半導体を含むことがより好ましい。更に、本技術にかかる構造体では、ナノホールに半導体または金属が埋め込まれていることが好ましい。これら半導体または金属は、ナノホールの底部で基板に直接接しており、基板から配向性を有するように結晶成長していることがより好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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