微粒子分散絶縁膜の製造方法、これを用いたメモリ素子、発光素子の製造方法及びメモリ素子、発光素子

開放特許情報番号
L2011004635
開放特許情報登録日
2011/9/2
最新更新日
2011/9/2

基本情報

出願番号 特願2005-094203
出願日 2005/3/29
出願人 国立大学法人広島大学
公開番号 特開2006-278625
公開日 2006/10/12
登録番号 特許第4441689号
特許権者 国立大学法人広島大学
発明の名称 微粒子分散絶縁膜の製造方法、これを用いたメモリ素子、発光素子の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 集積回路、スパッタリング法、真空蒸着法、プラズマCVD法
目的 ガラス等の基板を含む種々の基板上に作製することができるとともに、電荷保持ノード又はキャリアの発光再結合中心として作用する微粒子分散絶縁膜中の半導体微粒子の面密度が高く、かつ、均一な大きさで膜厚方向で広範囲にわたって均一な面密度の半導体微粒子を有する微粒子分散絶縁膜の製造方法、これを用いたメモリ素子、発光素子の製造方法及びメモリ素子、発光素子の提供。
効果 微粒子分散絶縁膜中の半導体微粒子の面密度が高く、かつ、膜厚方向で広範囲にわたって均一な大きさ及び面密度を有する微粒子分散絶縁膜を作製することができる。このため、駆動電圧が低く、データ書き込みみや消去に要する時間が短く応答性の高いメモリ素子を製造することができる。また、発光波長幅が狭く、かつ高効率の発光素子を製造することができる。さらに短時間でアニール処理ができるので、メモリ素子又は発光素子の生産性を向上させることができる。
技術概要
この技術の微粒子分散絶縁膜の製造方法は、まず、基板上に半導体成分を過剰に含む組成の絶縁膜を形成し、つぎに、その形成された絶縁膜をプラズマジェットを用いてアニールし、絶縁膜中に含まれる半導体成分を相分離させることによって半導体微粒子を形成するようにしたもので、基板は種々の材質のものを使用することができる。また、半導体成分を過剰に含む組成の絶縁膜は、プラズマジェットを用いてアニールすることにより絶縁体中に半導体微粒子が点在する微粒子分散絶縁膜が形成されるものであればよい。すなわち、絶縁膜の組成は特に問わないが、Si又はGeを過剰に含むSiO↓x:0<x≦2、または、Si↓xGe↓yO↓(1−(x+y)):0<x≦1、0<x≦1及び0<x+y≦1なる組成の絶縁膜がよい。このような組成の絶縁膜から、電荷保持ノード密度の高い微粒子分散絶縁膜又はキャリアの発光再結合中心密度の高い微粒子分散絶縁膜を効率的に製造することができる。絶縁膜の膜厚は、例えばメモリ素子を製造する場合においては10〜100nm、発光素子を製造する場合においては20〜1000nmにするのがよい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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