レーザ照射による脆性材板割断の方法および装置。

開放特許情報番号
L2011004621
開放特許情報登録日
2011/9/2
最新更新日
2011/9/2

基本情報

出願番号 特願2006-244000
出願日 2006/9/8
出願人 国立大学法人広島大学
公開番号 特開2008-062547
公開日 2008/3/21
発明の名称 レーザ照射による脆性材板割断の方法および装置。
技術分野 電気・電子、機械・加工
機能 機械・部品の製造、加熱・冷却
適用製品 脆性材料板のレーザ照射割断方法、ガラス板、シリコン基板、セラミックス基板、サファイア基板、液晶パネル、半導体ウエファ
目的 レーザ照射によるガラス基板や半導体基板等の脆性材板を割断する方法および装置であって、基板の複雑なハンドリングが不要で、基板に形成した液晶や半導体デバイスに熱影響を与えず、また基板に汚染を生じない割断技術の確立。
効果 脆性材板のレーザ割断は、基板を支持又は搬送する台車又はテーブルに搭載したまま、基板表面の加工に続くデバイス、パネルへの切り分け、割断工程を一貫して行なうことを可能としながら、表面に形成した素子等に熱影響を与えない利点を有する。従って素子形成から割断工程において、基板の反転などの複雑なハンドリングを要せず、破損し易い大型ガラス基板の損傷防止にも有効である。
技術概要
この技術では、割断対象の基板に、スクライバ、砥石、レーザ、エッチング等適当な手段により割断線に沿った初期欠陥を付ける。そして照射レーザとして基板に対して透過性を有するものを適用するとともに、基板の裏面にはレーザを吸収して熱を生じる材料をコーティングやフイルムの貼付等の手段により密着せしめる。そして、割断線に沿ってレーザ照射手段を移動しながら、表面からレーザビームを基板の裏面にビームを合わせて照射する。この割断手段は、ガラスの基板だけでなく、シリコン、セラミックス、あるいはサファイア基板等、硬脆性材板基板に広く適用可能である。使用するレーザは割断対象材に吸収されない波長を選択する必要があり、ガラス基板ではNd:YAGレーザ、シリコン基板に対しては炭酸ガスレーザの使用が可能である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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